[发明专利]基于周期性光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器在审
| 申请号： | 201811456310.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109520616A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 马建国;周绍华 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 吴学颖 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属栅 前置放大器 周期性光栅 隔直电容 低噪声 化源 电压反馈回路 太赫兹探测器 偏置电压源 正向输入端 偏置电阻 源极 太赫兹信号 探测灵敏度 反馈电阻 接地电阻 结构参数 图案形式 光栅化 波段 探测器 漏极 响应 | ||
1.一种基于周期性光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，包括具有周期性光栅化源极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET(Q1)、低噪声前置放大器(Q2)和电压反馈回路；
所述金属栅MOSFET(Q1)的源极用于接收太赫兹信号，所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极经一号偏置电阻(Rb1)连接一号偏置电压源(Vb1)，所述金属栅MOSFET(Q1)的漏极和低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端之间连接有一号隔直电容(C1)；所述低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端经二号偏置电阻(Rb2)连接二号偏置电压源(Vb2)；
所述电压反馈回路包括反馈电阻(Rf)、接地电阻(Rg)、二号隔直电容(C2)和三号隔直电容(C3)，所述反馈电阻(Rf)连接于低噪声前置放大器(Q2)的输出端和反向输入端之间，所述接地电阻(Rg)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的反向输入端，另一端经二号隔直电容(C2)接地(GND)，所述三号隔直电容(C3)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的输出端，另一端接地(GND)。
2.根据权利要求1所述的基于周期性光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，所述一号偏置电压源(Vb1)和一号偏置电阻(Rb1)用于给金属栅MOSFET(Q1)提供直流供电，通过调节金属栅MOSFET(Q1)源极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积、周期和图案形式)来实现THz响应波段范围的调节。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811456310.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
