[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和分别位于所述核心区相对两侧的第一阶梯区和第二阶梯区，且所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层；

处理所述堆叠层而在所述第一阶梯区形成第一阶梯结构，且在所述第二阶梯区形成第二初始阶梯结构，所述第一阶梯结构和所述第二初始阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第一部分；

在所述第一阶梯区和所述核心区上覆盖掩模层；以及

处理所述第二阶梯区的堆叠层而使所述第二初始阶梯结构的深度下降，形成第二阶梯结构，所述第二阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第二部分，其中所述第二部分位于所述第一部分之下。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理所述堆叠层而在所述第一阶梯区形成第一阶梯结构，且在所述第二阶梯区形成第二初始阶梯结构的步骤包括：

在所述第一阶梯区形成多个分离的第一分区阶梯结构区，每个第一分区阶梯结构区具有一个所述第一阶梯结构；

在所述第二阶梯区形成多个分离的第二分区阶梯结构区，每个第二分区阶梯结构区具有一个所述第二初始阶梯结构。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，每个第一分区阶梯结构区和第二分区阶梯结构区的分区数量为2-5个。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阶梯结构的任一阶梯和所述第二阶梯结构的任一阶梯位于所述堆叠层的不同深度。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理所述第二阶梯区的堆叠层而使所述第二初始阶梯结构的深度下降的步骤包括：

刻蚀所述第二阶梯区的堆叠层中预定数目的层，使所述第二初始阶梯结构的各阶梯的深度下降。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二初始阶梯结构具有虚拟阶梯，其中处理所述第二阶梯区的堆叠层而使所述第二初始阶梯结构的深度下降时，保持所述虚拟阶梯的深度。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述虚拟阶梯处覆盖所述掩模层。

8.一种三维存储器，具有核心区、第一阶梯区和第二阶梯区，且包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述第一阶梯区和所述第二阶梯区位于所述核心区的相对两侧，所述第一阶梯区具有第一阶梯结构，所述第二阶梯区具有第二阶梯结构，其中所述第一阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第一部分，所述第二阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第二部分，所述第二部分位于所述第一部分之下。

9.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一阶梯区包括多个分离的第一分区阶梯结构区，每个第一分区阶梯结构区具有一个所述第一阶梯结构，所述第二阶梯区包括多个分离的第二分区阶梯结构区，每个第二分区阶梯结构区具有一个所述第二阶梯结构。

10.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，每个第一分区阶梯结构区和第二分区阶梯结构区的分区数量为2-5个。

11.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一阶梯结构的任一阶梯和所述第二阶梯结构的任一阶梯对应不同的栅极层。

12.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第二阶梯区具有虚拟阶梯，所述虚拟阶梯位于所述堆叠层在厚度方向上的第一部分。

13.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一阶梯结构和第二阶梯结构的各个阶梯包括至少一对堆叠的栅极层和介质层。

14.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述第一分区阶梯结构区和所述第二分区阶梯结构区中相邻分区的高度差为一个阶梯的高度。

15.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3D NAND闪存。