[发明专利]一种核壳量子点及其制备方法、电子器件有效
| 申请号： | 201811455211.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109666477B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 胡保忠 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 胡拥军;糜婧 |
| 地址： | 310052 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 及其 制备 方法 电子器件 | ||
1.一种核壳量子点制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，提供待包覆量子点，所述待包覆量子点的外表面包括第一阳离子和第一阴离子，所述第一阳离子包括至少一种阳离子，所述第一阴离子包括至少一种阴离子；所述第一阳离子选自以下一种或多种元素的阳离子：Cd、Zn、In、Ga、Cu、Ag、Pb、Hg；所述第一阴离子选自以下一种或多种元素的阴离子：S、Se、Te、P、As；
S2，使用混合阴离子前体处理所述待包覆量子点，所述混合阴离子前体包括所述第一阴离子的前体以及第二阴离子的前体，所述第二阴离子包括至少一种阴离子；所述第二阴离子选自以下一种或多种元素的阴离子：S、Se、Te、P、As；
S3，提纯经所述步骤S2处理的所述待包覆量子点后，进行壳层的包覆，所述壳层包括第二阳离子以及所述第二阴离子，所述第二阳离子包括至少一种阳离子；所述第二阳离子选自以下一种或多种元素的阳离子：Cd、Zn、In、Ga、Cu、Ag、Pb、Hg。
2.根据权利要求1所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述步骤S2中所述混合阴离子前体中所述第一阴离子与所述第二阴离子的摩尔比为1:10～10:1。
3.根据权利要求1所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述步骤S2中所述待包覆量子点与所述混合阴离子前体的摩尔比为1:10000～1:100。
4.根据权利要求1所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述步骤S1中所述待包覆量子点为提纯的量子点，所述步骤S2中将提纯的所述待包覆量子点与所述混合阴离子前体混合进行处理。
5.根据权利要求1-4任一所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述待包覆量子点为核量子点结构或核壳量子点结构；当所述待包覆量子点为核量子点结构时，所述待包覆量子点由所述第一阳离子和所述第一阴离子组成；当所述待包覆量子点为核壳量子点结构时，所述待包覆量子点最外侧的壳层由所述第一阳离子和所述第一阴离子组成。
6.根据权利要求5所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述待包覆量子点为核壳量子点结构，所述待包覆量子点为权利要求1-4任一所述的方法制得的核壳量子点。
7.一种核壳量子点，其特征在于，由权利要求1-6任一所述的方法制得。
8.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求7所述的核壳量子点。
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