[发明专利]一种多晶硅还原炉内硅棒生长速率预估模型有效
申请号: | 201811454413.1 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109543916B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 龙时雨;杨海东;徐康康;朱成就 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | G06Q10/04 | 分类号: | G06Q10/04;G06Q50/04;G06N3/08 |
代理公司: | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人: | 杨晓松 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 还原 炉内硅棒 生长 速率 预估 模型 | ||
1.一种多晶硅还原炉内硅棒生长速率预估装置,其特征在于,包括以下模块:
数据采集及预处理模块,用于通过传感器采集与硅棒生长速率相关的数据,构建数据集,并对采集的数据进行数据清洗;所述与硅棒生长速率相关的数据,包括:炉内压力,进气速度,进料的氢气量与三氯氢硅的量,硅棒表面温度,进气温度,硅棒的直径,历史生长速率,硅棒对数,炉内壁温度;
数据集筛选模块,用于对数据采集模块经过数据采集、数据清洗后的数据集进行筛选,得到训练集和测试集;
训练和评估模块,用于对梯度提升决策树模型进行训练,利用平均相对误差以及合格率对模型进行评估,具体包括:
(1)输入训练集,训练集中样本数为M;设置迭代次数T和损失函数L;所述的损失函数采用平方误差损失函数,其中y表示样本的真实值,y′(x)表示预测值;
(2)初始化弱学习器;
寻找使损失函数最小化的常数值c:
上式中,f0(X)为弱学习器,L(·)表示损失函数,yi表示第i个样本的真实输出值;
(3)开始迭代,总共迭代T次;
(3-1)计算负梯度;
计算每次迭代时损失函数的负梯度:rti=yi-ft-1(Xi);t=1,2...T,i=1,2...M,ft-1(Xi)表示第t-1次迭代得到的强学习器对样本Xi的预测值;
(3-2)利用(Xi,rti)拟合弱回归树,得到第t棵弱回归树;其对应的叶结点区域为Rtj,其中j=1,2...J,J为第t棵弱回归树的叶子节点数,t=1,2,...T;
(3-3)针对叶节点区域Rtj,找到拟合叶子节点最好的输出值ctj:
(3-4)更新强学习器:
其中,ft-1(X)为第t-1次迭代时的强学习器,ft(X)为更新后的强学习器,v的取值范围是0<v≤1,I表示指示函数,当Xi∈Rtj时,其值为1,否则为0;
(4)迭代结束得到最终强学习器:
其中,fT(X)为经过T次迭代后得到的强学习器;
(5)利用测试集对强学习器进行评估,得到预测模型;
待预测模块,用于输入待预测特征向量;
预测结果模块,用于将所述的待预测特征向量输入到预测模型中,输出预测结果。
2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉内硅棒生长速率预估装置,其特征在于,所述的对采集的数据进行数据清洗,包括:
记总共采集的样本数量为m,对于数据集中的每一个样本,如样本中存在缺失数据,则将该缺失数据采用前一个生产周期、后一个生产周期中对应数据的平均值代替,以进行缺失值处理;对于异常值处理,利用统计学方法,从数据集中筛选出每一类数据的异常值,然后将该异常值作为缺失值进行处理,或用所有其他同类型数据的平均值来修正。
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