[发明专利]一种太阳能薄膜

权利要求书

1.一种太阳能薄膜，其步骤包括：

步骤1：将4-5N硅片装入衬底夹具；石墨坩埚中装入作为溶剂的In；炉室内抽真空后通入惰性气体，同时关闭真空泵，保持微正压；

步骤2：升温至In熔点156.634℃以上，将In熔化后，将装载有硅片的衬底夹具放入In熔液中；

步骤3：逐渐升温至900℃，使硅片溶解；通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量；

步骤4：降低温度0.2-1℃/h，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于衬底硅片上；10-20h后，将衬底夹具缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。