[发明专利]一种基于多铁异质结构的阻变存储器有效
| 申请号： | 201811453467.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599486B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 黄伟川;罗振;殷月伟;李晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多铁异质 结构 存储器 | ||
1.一种基于多铁异质结构的阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：
衬底；
设置在所述衬底上的铁磁底电极层；
设置在所述铁磁底电极层背离所述衬底一侧的铁电势垒层，其中，所述铁电势垒层部分覆盖所述铁磁底电极层；
设置在所述铁电势垒层背离所述铁磁底电极层一侧的铁磁顶电极层，其中，所述铁磁顶电极层的面积和所述铁电势垒层的面积相同；
设置在所述铁磁底电极层上，且包围所述铁电势垒层的侧壁和所述铁磁顶电极层的侧壁的绝缘层；
设置在所述铁磁顶电极层背离所述铁电势垒层一侧的接触电极引线层；
其中，所述铁电势垒层的厚度为1nm-5nm。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底的材料为SrTiO3材料或Al2O3材料或SiC材料或Si材料。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述铁磁底电极层的材料为La1-xSrxMnO3材料或La1-xCaxMnO3材料，其中，0＜x＜1；
或Fe3O4材料或Fe材料或Co材料或Ni材料或CoxFe0.8-xB0.2材料，其中0＜x＜0.8。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述铁磁顶电极层的材料为La1-xSrxMnO3材料或La1-xCaxMnO3材料，其中，0＜x＜1；
或Fe3O4材料或Fe材料或Co材料或Ni材料或CoxFe0.8-xB0.2材料，其中0＜x＜0.8。
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述铁电势垒层的材料为BaTiO3或BiFeO3或PbZr1-xTixO3或LiTaO3或LiNbO3或具有掺杂元素的HfO2，其中，0＜x＜1。
6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述铁磁底电极层的厚度大于3nm。
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述铁磁顶电极层的厚度大于3nm。
8.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述接触电极引线层为金属接触电极引线层。
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