[发明专利]错充检测方法及错充检测系统有效

专利信息
申请号: 201811452652.3 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109272912B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 杨艳娜 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 高星
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 检测 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种错充检测方法,其特征在于,所述错充检测方法包括:

获取待检测的目标子画素,并得到与所述目标子画素连接的目标扫描线、目标数据线,以及与所述目标子画素相邻的目标公共电极线;

断开所述目标子画素与垂直方向相邻的子画素之间的连接;

断开所述目标子画素与所述目标数据线之间的连接;

将所述目标扫描线、所述目标数据线、所述目标公共电极线以及所述目标子画素中的像素电极依次连接;

在所述目标子画素的像素电极中获取所述目标扫描线的扫描信号;

根据所述目标扫描线的扫描信号得到阵列基板的错充程度;

显示所述阵列基板的错充程度。

2.根据权利要求1所述的错充检测方法,其特征在于,所述断开所述目标子画素与垂直方向相邻的子画素之间的连接,具体为:

在所述目标数据线上选取第一断点和第二断点,所述第一断点位于第一交叉点与第二交叉点之间,所述第二断点位于所述第一交叉点与第三交叉点之间;

其中,所述第一交叉点为所述目标扫描线在所述目标数据线上的投影点,与所述目标子画素在垂直方向相邻的子画素为:第一子画素和第二子画素,所述第一子画素位于所述目标子画素的一侧,所述第二子画素位于所述目标子画素的另一侧,所述第一子画素与第一扫描线以及所述目标数据线连接,所述第二子画素与第二扫描线以及所述目标数据线连接,所述第二交叉点为所述第一扫描线在所述目标数据线上的投影点,所述第三交叉点为所述第二扫描线在所述目标数据线上的投影点;

在所述第一断点将所述目标数据线切断,在所述第二断点将所述目标数据线切断。

3.根据权利要求1所述的错充检测方法,其特征在于,所述目标子画素包括第一像素电极和第一开关管,其中所述第一开关管的第一导通极接所述目标数据线,所述第一开关管的第二导通极接所述第一像素电极,所述第一开关管的控制端接所述目标扫描线;所述断开所述目标子画素与所述目标数据线之间的连接,具体为:

切断所述第一开关管的第一导通极与所述目标数据线之间的连接。

4.根据权利要求1所述的错充检测方法,其特征在于,所述将所述目标扫描线、所述目标数据线、所述目标公共电极线以及所述目标子画素中的像素电极依次连接,具体为:

将所述目标扫描线和所述目标数据线的重叠处焊接;

将所述目标数据线和所述目标公共电极线的重叠处焊接;

将所述目标公共电极线和所述目标子画素中像素电极的重叠处焊接。

5.根据权利要求1所述的错充检测方法,其特征在于,所述在所述目标子画素的像素电极中获取所述目标扫描线的扫描信号,具体为:

将显微镜探针扎在所述目标子画素中的像素电极,以获取所述目标扫描线上的扫描信号。

6.根据权利要求1所述的错充检测方法,其特征在于,所述根据所述目标扫描线的扫描信号得到所述阵列基板的错充程度,具体为:

将所述目标扫描线的扫描信号输出至示波器中,以获取所述目标扫描线的扫描信号的延迟状况;

根据所述目标扫描线的扫描信号的延迟状况得到所述阵列基板的错充程度。

7.根据权利要求6所述的错充检测方法,其特征在于,所述显示所述阵列基板的错充程度,具体为:

在所述示波器中显示所述阵列基板的错充程度。

8.根据权利要求1所述的错充检测方法,其特征在于,根据所述目标扫描线的扫描信号得到所述阵列基板的错充程度以后;所述错充检测方法还包括:

若所述阵列基板的错充程度大于所述阵列基板的安全运行幅度,则发出故障报警信号。

9.根据权利要求1所述的错充检测方法,其特征在于,所述目标子画素为:红色子画素、绿色子画素以及蓝色子画素中的任意一种。

10.一种错充检测系统,其特征在于,所述错充检测系统包括:

目标画素获取单元,获取待检测的目标子画素,并得到与所述目标子画素连接的目标扫描线、目标数据线,以及与所述目标子画素相邻的目标公共电极线;

第一切断单元,断开所述目标子画素与垂直方向相邻的子画素之间的连接;

第二切断单元,断开所述目标子画素与所述目标数据线之间的连接;

焊接单元,将所述目标扫描线、所述目标数据线、所述目标公共电极线以及所述目标子画素中的像素电极依次连接;

信号获取单元,在所述目标子画素的像素电极中获取所述目标扫描线的扫描信号;

状态获取单元,根据所述目标扫描线的扫描信号得到阵列基板的错充程度;

状态显示单元,显示所述阵列基板的错充程度。

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