[发明专利]背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线

权利要求书

1.一种背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，包括由上至下设置的辐射层、功率分配层和反馈层；所述反馈层的信号经过功率分配层传递至辐射层；

所述辐射层包括顶层介质基板、设置在顶层介质基板上表面的多块辐射贴片和设置在所述介质基板下表面的顶层传导铜片；所述顶层介质基板设有顶层金属化过孔，所述辐射贴片通过所述顶层金属化过孔与所述顶层传导铜片耦接；

所述功率分配层包括中层介质基板、覆盖在所述中层介质基板上表面的中层铜片和覆盖在所述中层介质基板下表面的中层传导铜片；所述中间铜片设有中层十字形耦合缝，与所述顶层传导铜片耦接；所述中层介质基板设有中层金属化过孔与所述中层铜片、中层传导铜片形成高阶模基板集成腔；

所述反馈层，包括相互垂直的第二信号输入端和第一信号输入端。

2.根据权利要求1所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，所述反馈层还包括下层介质基板和底层介质基板；所述下层介质基板上表面覆盖有下层铜片，所述底层介质基板上表面覆盖有底层铜片；所述第二信号输入端口设置在所述下层铜片，所述第一信号输入端口设置在所述底层铜片。

3.根据权利要求2所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，4块所述辐射贴片以2*2的方式阵列在所述顶层介质基板上表面，且4块所述辐射贴片相邻内角之间通过交叉带连接，形成子阵列；4块所述子阵列相互分离，并以2*2的方式阵列在所述顶层介质基板上表面，形成天线辐射臂。

4.根据权利要求3所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，所述中层十字形耦合缝数量与所述子阵列的数量相等，且所述中层十字形的耦合缝的几何中心与所述子阵列的几何中心位置相对应。

5.根据权利要求3所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，所述下层铜片设有下层十字形耦合缝；且所述下层十字形耦合缝的几何中心点与所述天线辐射臂的几何中心位置相对应；所述底层铜片设有条形耦合缝，所述条形耦合缝与所述下层十字形耦合缝数量相等，且所述条形耦合缝隙的几何中心点与所述下层十字形耦合缝的几何中心点位置相对应。

6.根据权利要求3所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，所述下层介质基板设有下层金属化过孔，所述下层金属化过孔与所述第二信号输入端口围合成下层凸字形SIW结构，所述底层介质基板设有底层金属化过孔，所述底层金属化过孔与所述第一信号输入端口围合成底层凸字形SIW结构；且所述下层凸字形SIW结构与底层凸字形SIW结构夹角成90度。

7.根据权利要求2所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，4块所述辐射贴片以2*2的方式阵列在所述顶层介质基板上表面，且4块所述辐射贴片相邻内角之间通过交叉带连接，形成第一子阵列；4块所述子阵列相互分离，并以2*2的方式阵列在所述顶层介质基板上表面，形成第二子阵列；4块所述第二子阵列相互分离，并以所述以2*2的方式阵列在所述顶层介质基板上表面形成天线辐射臂。

8.根据权利要求7所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，所述中间铜片设有中层十字形耦合缝，所述中层十字形耦合缝数量与所述第一子阵列的数量相等，且所述中层十字形的耦合缝与所述第一子阵列的几何中心位置相对应。

9.根据权利要求7所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，所述下层铜片设有下层十字形耦合缝；所述十字形耦合缝与所述第二阵列的数量相等，且所述下层十字形耦合缝的几何中心点与所述第二子阵列的几何中心位置相对应；所述底层介质基板上表面覆盖有底层铜片，所述底层铜片设有条形耦合缝，所述条形耦合缝与所述下层十字形耦合缝数量相等，且所述条形耦合缝隙的几何中心点位置与所述下层十字形耦合缝的几何中心点相对应。

10.根据权利要求7所述的背腔激励的双极化电磁偶极子阵列天线，其特征在于，所述下层介质基板设有下层金属化过孔，所述下层金属化过孔围合成下层凸字形SIW结构，所述第二信号输入端设置在所述下层凸字形SIW结构前端；所述底层介质基板设有底层金属化过孔，所述底层金属化过孔围合成底层凸字形SIW结构，所述第一信号输入端设置在所述底层凸字形前端。