[发明专利]用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片在审
| 申请号： | 201811448655.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109270100A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 车仁超;赵雪冰;张捷 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 聚焦离子束 电学测试 透射电镜 硅基片 金属电路 制样 绝缘层 测试技术领域 倒梯形缺口 电子显微镜 正面绝缘层 大半圆形 工艺制备 弓形区域 平直边缘 芯片边缘 芯片外形 原位测试 直径样品 传统的 样品杆 样品孔 可用 测量 观测 施加 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路，金属电路用于对样品施加或测量各种电信号；芯片外形为直径2.5–3.0mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口，缺口的底边距离圆心0–1000μm，缺口底边长度20–250μm，缺口斜边与底边延长线夹角20°~90°，缺口深度20–500μm。
2. 根据权利要求1所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形后，再从其正下方即水平方向和左右两侧即垂直方向分别割去一弓形区域，形成一多边形，该多边形左右对称。
3.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述金属电路，厚度为20–200nm，位于中心直径2.5mm的圆之内。
4.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述的硅基片厚度为50–200μm。
5.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，所述的绝缘层为二氧化硅，或在二氧化硅层上还生长有一层氮化硅，绝缘层总厚度0.1–3μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811448655.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
