[发明专利]固态储氢芯体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811448225.8 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109666908B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 韩建;崔龙;米新艳;张克金;于力娜;苏中辉 申请(专利权)人: 一汽解放汽车有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C01B3/50
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 李泉宏
地址: 130000 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 固态 储氢芯体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种固态储氢芯体,其特征在于,该固态储氢芯体主要由芯体基材、过渡层和储氢材料层组成,过渡层位于芯体基材和储氢材料层之间,储氢材料层位于固态储氢芯体表面;

所述的芯体基材为金属纤维毡,材质为304不锈钢、316L不锈钢或310S不锈钢,或者铁铬铝金属材料,纤维直径为1~50um,纤维毡孔隙率为70~90%,纤维毡厚度为0.2~2mm;所述的储氢材料为LaNix(x=1~5)或LaNixAl1-x(x=0.2~0.8);镀层厚度为50~2000nm;过渡层为金属铬或钛,厚度为10~1000nm。

2.如权利要求1所述的固态储氢芯体的制备方法,具体步骤如下:

(1)离子溅射清洗过程

将芯体基材经过超声清洗后,用高纯氮气吹干,放入非平衡磁控溅射离子镀炉腔中,加热至50~300℃,抽真空至炉腔真空度低于3×10-3~6×10-3Pa,保温0.5~5h,接下来充入氩气,使炉腔的真空度为0.2~2Pa,在基体上加偏压至-200~-1000V,离子源电压加至200~1000V,用离子源轰击基体表面去除钝化膜,离子清洗时间为10~120min;

(2)沉积过渡层

开启铬靶电流,工作气压保持在0.2~10Pa之间,基体偏压在-50~-800V之间,铬靶电流为0.2~10A,在芯体表面沉积铬,沉积时间为1~20min;

(3)沉积储氢层

铬靶电流调为0,基体偏压在-50~-800V之间,LaNix靶电流维持0.3~10A,沉积2~200min;在步骤(2)制得的纯铬层表面沉积LaNix储氢层。

3.根据权利要求2所述的固态储氢芯体的制备方法,其特征在于,步骤(2)中沉积过渡层使用钛靶。

4.根据权利要求2所述的固态储氢芯体的制备方法,其特征在于,所述的步骤(3)沉积LaNixAl1-x储氢层,具体操作为铬靶电流调为0,基体偏压在-50~-800V之间,LaNix靶电流从10A开始逐步降低,Al靶从0A开始逐步升高,沉积2~200min;

或者Al靶从5A开始逐步降低,LaNix靶电流从0A开始逐步升高,沉积时间为2~200min;在步骤(2)制得的纯铬层表面沉积LaNixAl1-x储氢层。

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