[发明专利]一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法

权利要求书

1.一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法，其特征在于该方法是在芯片焊接前，在外壳基座上，沿功率半导体芯片焊接区域四周，通过激光标刻方式，刻出一道沟槽，形成一个引流圈；按正常钎焊工艺流程在外壳基座上先放置预制焊料，再将芯片放置在预制焊料上，最后加上压块放入真空烧结炉中进行钎焊；此时，溢出的焊料被限制在引流圈范围内，从而防止溢出焊料向外流动，避免造成短路。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述激光标刻方式是采用激光标刻机在外壳基座上，根据需要焊接的功率半芯片安装位置，沿芯片四周与边缘保持一定距离，标刻出一个闭合的矩形沟槽，清洗后烘干备用。

3.按照权利要求2所述的方法，其特征在于所述芯片四周与边缘保持的距离为0.5mm。

4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述预制焊料为金锡焊料或锡银焊料。

5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述真空烧结炉中进行钎焊的具体过程是：第一步预热，先对焊接件和工装进行整体加热，将温度提高到比钎料熔点略低时，保持20s，使焊件各部分温度保持一致；第二步焊接，按照工艺温度控制曲线快速加热，使焊件整体温度超过钎料熔点20℃左右，并保持10s，使钎料熔化并在芯片和外壳基座间充分扩散，一部分钎料在压力的作用下溢流出来，当向外扩散到引流槽时，溢出的多余钎料被限制在引流沟槽中，从而实现钎焊溢料的控制；第三步冷却，停止加热，使焊件冷却到室温，拆除压块等工装夹具，芯片钎焊完成。

6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于所述工艺温度控制曲线中使用锡银焊料时，使钎料熔化的温度为275℃。