[发明专利]一种麦克风振膜及麦克风

说明书

本发明实施例公开了一种麦克风振膜及麦克风。该麦克风振膜包括：圆形膜片以及设置于所述圆形膜片边缘区域的多个缓冲结构，多个所述缓冲结构沿所述圆形膜片的圆周均匀分布；所述缓冲结构包括圆心位于所述圆形膜片的边界的第一圆弧形沟槽，以及与所述圆形膜片同心的第二圆弧形沟槽；所述第一圆弧形沟槽和所述第二圆弧形沟槽的深度小于所述圆形膜片的厚度。本发明实施例的方案可以缓冲麦克风振膜制备过程中的机械应力，提升麦克风振膜的灵敏度，从而提升麦克风的产品性能。

技术领域

本发明实施例涉及麦克风振膜技术，尤其涉及一种麦克风振膜及麦克风。

背景技术

随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多。人们对通话质量的要求越来越高。目前应用较多的是微机电系统麦克风(micro electro mechanical systemmicrophone，MEMS)。

硅MEMS麦克风采用电容式的原理，由一个MEMS振膜和麦克风中的背板形成电容结构。当MEMS振膜感受到外部的音频声压信号后，MEMS振膜与背板之间的距离改变，电容改变，通过测量该电容变化确定音频声压信号。

现有技术中，硅MEMS麦克风的振膜一般采用多晶硅薄膜，在制备过程中不可避免存在机械应力，影响MEMS麦克风的产品性能。

发明内容

本发明提供一种麦克风振膜及麦克风，以缓冲麦克风制备过程中的机械应力，提升麦克风振膜的灵敏度，从而提升麦克风的产品性能。

第一方面，本发明实施例提供了一种麦克风振膜，该麦克风振膜包括：

圆形膜片以及设置于所述圆形膜片边缘区域的多个缓冲结构，多个所述缓冲结构沿所述圆形膜片的圆周均匀分布；

所述缓冲结构包括圆心位于所述圆形膜片的边界的第一圆弧形沟槽，以及与所述圆形膜片同心的第二圆弧形沟槽；所述第一圆弧形沟槽和所述第二圆弧形沟槽的深度小于所述圆形膜片的厚度。

可选的，所述第一圆弧形沟槽与所述第二圆弧形沟槽相交，且所述第二圆弧形沟槽在所述第一圆弧形沟槽处截止。

可选的，所述缓冲结构包括多个同心设置的第一圆弧形沟槽，且沿所述圆形膜片的直径方向，多个所述同心设置的第一圆弧形沟槽的间距相等。

可选的，所述缓冲结构包括多个半径不同的第二圆弧形沟槽，且沿所述圆形膜片的直径方向，所述多个半径不同的第二圆弧形沟槽的间距相等。

可选的，所述第二圆弧形沟槽的最小半径大于或等于所述圆形振膜的半径的二分之一。

可选的，所述第一圆弧形沟槽的最大半径小于或等于所述圆形振膜的半径的二分之一。

可选的，所述圆形膜片的厚度为0.5微米-2微米。

可选的，所述第一圆弧形沟槽和所述第二圆弧形沟槽的深度为0.3微米-0.7微米。

第二方面，本发明实施例还提供了一种麦克风，该麦克风包括本发明任意实施例所述的麦克风振膜。

本发明实施提供的麦克风振膜通过在圆形膜片上设置缓冲结构，该缓冲结构的第一圆弧形沟槽可以对圆形膜片受到的轴向应力起到缓冲作用，同时可以增加了麦克风振膜的机械振动强度，提高麦克风振膜的灵敏度，第二圆弧形沟槽可以对圆形膜片受到的径向应力起到缓冲作用，避免工艺制造过程中热应力使圆形膜片产生挤压形变，提高了产品的加工良率及产品性能。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种麦克风振膜的示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种麦克风振膜的示意图。

具体实施方式