[发明专利]发光器件、显示装置及显示装置的制造方法和发电装置在审
| 申请号: | 201811445903.5 | 申请日: | 2018-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN111244200A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 曹蔚然;钱磊 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/028;H01L31/032;H01L33/28;H01L33/34;H01L51/46;H01L51/54;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
| 地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 显示装置 制造 方法 发电 装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括光源、衬底、核心功能单元;所述核心功能单元包括阳极、核心功能层、阴极,所述核心功能层设置在所述阳极和所述阴极之间;所述核心功能层与所述阴极之间还包括第一传输层;
所述核心功能层的材料由纳米颗粒和半导体材料混合而成;
还包括设置在所述衬底背对于所述核心功能单元一侧的光源。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,还包括第一辅助功能层,所述第一辅助功能层设置在所述阴极和所述第一传输层之间。
3.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述阳极和核心功能层之间还包括第二传输层。
4.如权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述阳极与所述第二传输层之间还包括第二辅助功能层。
5.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述纳米颗粒为量子点或者纳米棒或者纳米片;
所述半导体材料为无机半导体材料、有机半导体材料、有机-无机杂化钙钛矿型半导体材料中的至少一种。
6.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述衬底为透明衬底;所述阳极和阴极均为透明电极。
7.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一传输层的材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Ca、Ba、CsF、LiF、Cs2CO3中的至少一种。
8.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一辅助功能层的材料选自三(8-羟基喹啉)铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉中的至少一种。
9.如权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述第二传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、NiOx、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2中的至少一种。。
10.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第二辅助功能层的材料选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、MoOx、WOx、CrOx、CuO、CuS中的至少一种。
11.一种显示装置,其特征在于,包括多个重复排列的像素单元;所述像素单元包括权利要求1-10任一项所述的发光器件,所述发光器件共用同一所述衬底,所述光源均位于所述衬底同一侧。
12.如权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元;所述红色子像素单元为红色发光器件,所述绿色子像素单元为绿色发光器件,所述蓝色子像素单元为蓝色发光器件。
13.如权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置于衬底上的像素界定层,所述像素界定层位于相邻的所述核心功能单元之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





