[发明专利]填充方法

权利要求书

1.一种填充方法，其特征在于，包括以下步骤：

沉积阶段，在待加工孔的整个内壁上沉积基层；

第一钝化阶段，沉积第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述基层表面的位于所述待加工孔的第一预设深度以上的第一区域；

填充阶段，向所述待加工孔中填充预设厚度的主体材料，所述预设厚度小于所述待加工孔的深度；

刻蚀阶段，对在所述填充阶段沉积在所述待加工孔中的所述预设厚度上方的主体材料进行刻蚀；

循环所述填充阶段和所述刻蚀阶段至少一次，且在所述主体材料完全填充所述待加工孔时停止循环。

2.根据权利要求1所述的填充方法，其特征在于，在至少一次所述刻蚀阶段之后，且在所述填充阶段之前进行下述步骤，

第二钝化阶段，沉积第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述基层表面的位于所述待加工孔的第二预设深度以上的第二区域。

3.根据权利要求1或2所述的填充方法，其特征在于，所述待加工孔包括沿深度增加的方向依次设置的第一孔部、第二孔部和第三孔部，其中，所述第一孔部与所述第三孔部的直径均大于所述第二孔部的直径；

在所述第一钝化阶段，所述第一区域为所述基层表面的覆盖所述第一孔部和第二孔部的内壁的部分。

4.根据权利要求1或2所述的填充方法，其特征在于，所述待加工孔包括沿深度方向设置的竖直孔部，以及沿水平方向设置的水平孔部，其中，所述水平孔部位于所述竖直孔部的一侧，且与之连通；所述水平孔部包括沿远离所述竖直孔部的水平方向依次设置的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔的直径小于所述第二子孔的直径；

在所述第一钝化阶段，所述第一区域为所述基层表面的覆盖所述竖直孔部和第一子孔的内壁的部分。

5.根据权利要求1或2所述的填充方法，其特征在于，所述待加工孔包括沿深度方向设置的竖直孔部，以及沿水平方向设置的水平孔部，其中，所述水平孔部包括位于所述竖直孔部的两侧的第一子水平孔部和第二子水平孔部，所述第一子水平孔部和所述第二子水平孔部均与所述竖直孔部连通，且均包括沿远离所述竖直孔部的水平方向依次设置的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔的直径小于所述第二子孔的直径；

在所述第一钝化阶段，所述第一区域为所述基层表面的覆盖所述竖直孔部和第一子孔的内壁的部分。

6.根据权利要求1所述的填充方法，其特征在于，在所述刻蚀阶段中，向反应腔室加载第一射频功率，以及向基座加载偏压功率；通过调节所述第一射频功率和偏压功率的大小，来实现对在所述填充阶段沉积在所述待加工孔中的所述预设厚度上方的主体材料进行刻蚀。

7.根据权利要求6所述的填充方法，其特征在于，在所述第一钝化阶段中，向所述反应腔室加载第二射频功率，以及向所述基座加载所述偏压功率；通过调节所述第二射频功率和所述偏压功率的大小，来实现将所述第一钝化层覆盖所述基层表面的位于所述待加工孔的第一预设深度以上的第一区域。

8.根据权利要求7所述的填充方法，其特征在于，加载所述第一射频功率的第一射频源所发出的第一射频频率，和加载所述第二射频功率的第二射频源所发出的第二射频频率不同。

9.根据权利要求8所述的填充方法，其特征在于，所述第一射频频率包括：13.56MHz、400KHz、2MHz、40MHz、60MHz、80MHz或100MHz；所述第二射频频率包括：13.56MHz、400KHz、2MHz、40MHz、60MHz、80MHz或100MHz。

10.根据权利要求1所述的填充方法，其特征在于，在所述刻蚀阶段中，向反应腔室内通入的工艺气体包括NF₃。