[发明专利]清洗装置及半导体晶圆清洗设备有效
申请号: | 201811445034.6 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109346427B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 赵宁;史霄;尹影;佀海燕 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 杨鹏 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 半导体 设备 | ||
1.一种清洗装置,用于清洁旋转的待清洁物,其特征在于,包括支撑架、兆声清洗组件和驱动装置;
所述支撑架上设置有支撑臂,所述兆声清洗组件位于所述支撑臂上,所述驱动装置用于驱动所述兆声清洗组件沿所述支撑臂的长度方向往复运动;
所述兆声清洗组件用于对待清洁物的表面进行清洁;所述支撑臂的长度方向与所述待清洁物的表面之间成角度设置,所述兆声清洗组件的运动起点与所述待清洁物的表面之间的垂直距离小于所述兆声清洗组件的运动终点与所述待清洁物的表面之间的垂直距离,其中,所述兆声清洗组件的运动起点与所述待清洁物的中心轴线之间的距离大于所述兆声清洗组件的运动终点与所述待清洁物的中心轴线之间的距离。
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述支撑臂的数量为两个,两个所述支撑臂的一端相连接,从两个所述支撑臂的连接处向两个所述支撑臂的另一端的方向,两个所述支撑臂之间的距离逐渐增大,所述待清洁物能够置于两个所述支撑臂之间;
所述兆声清洗组件的数量为两个,两个所述兆声清洗组件分别安装于两个所述支撑臂上。
3.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,两个所述支撑臂之间的角度大于0度,且两个所述支撑臂之间的角度小于90度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗装置,其特征在于,所述支撑臂在所述待清洁物上的投影穿过所述待清洁物的中心。
5.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述兆声清洗组件包括兆声清洗喷头和进液管,所述进液管与所述兆声清洗喷头相连通,所述进液管用于将清洗液运输至所述兆声清洗喷头。
6.根据权利要求5所述的清洗装置,其特征在于,所述进液管为螺旋状软管。
7.根据权利要求6所述的清洗装置,其特征在于,所述兆声清洗喷头上还设置有接线端,所述接线端用于与兆声波发生器相连接。
8.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述兆声清洗组件通过滚珠丝杠与所述支撑臂相连接。
9.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述驱动装置为电机。
10.一种半导体晶圆清洗设备,其特征在于,包括权利要求1至9中任一项所述的清洗装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所),未经北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造