[发明专利]显示面板和用于制造显示面板的方法在审
| 申请号: | 201811444980.9 | 申请日: | 2018-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN109841659A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
| 发明(设计)人: | 赵允钟;成硕济;李圣俊;申允智;尹秀娟;郑宇镐;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示面板 无机层 第二区域 第一区域 基础层 上部凹槽 有机层 绝缘层 氧化物半导体图案 凹槽延伸 发光元件 硅半导体 信号线电 制造 图案 申请 | ||
1.显示面板,包括:
基础层,所述基础层包括第一区域和第二区域,其中所述第二区域从所述第一区域延伸并从所述第一区域弯曲;
至少一个无机层,所述至少一个无机层与所述第一区域和所述第二区域重叠,其中所述至少一个无机层布置在所述基础层上,并且其中所述至少一个无机层包括与所述第二区域重叠的下部凹槽;
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管布置在所述至少一个无机层上,并且包括与所述第一区域重叠的硅半导体图案;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管布置在所述至少一个无机层上,并且其中所述第二薄膜晶体管包括与所述第一区域重叠的氧化物半导体图案;
多个绝缘层,所述多个绝缘层与所述第一区域和所述第二区域重叠,其中所述多个绝缘层包括从所述下部凹槽延伸的上部凹槽;
信号线,所述信号线电连接到所述第二薄膜晶体管;
有机层,所述有机层与所述第一区域和所述第二区域重叠,其中所述有机层布置在所述下部凹槽和所述上部凹槽中;以及
发光元件,所述发光元件布置在所述有机层上并且与所述第一区域重叠。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述信号线的与所述第二区域重叠的部分布置在所述有机层上。
3.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
连接电极,所述连接电极布置在所述有机层上,并且通过形成在所述有机层中的接触孔连接到所述第一薄膜晶体管的输出电极。
4.如权利要求3所述的显示面板,还包括:
钝化层,所述钝化层布置在所述有机层上。
5.如权利要求4所述的显示面板,其中,所述发光元件的电极通过形成在所述钝化层中的接触孔连接到所述连接电极。
6.如权利要求4所述的显示面板,其中,所述钝化层布置在所述信号线上,并且所述钝化层的与所述第二区域重叠的部分与所述信号线直接接触。
7.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个绝缘层包括:
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一薄膜晶体管的所述硅半导体图案的上表面;
第二绝缘层,所述第二绝缘层布置在所述第一绝缘层上,并且覆盖所述第一薄膜晶体管的控制电极的上表面和侧表面;
第三绝缘层,所述第三绝缘层布置在所述第二绝缘层上,并且覆盖所述第二薄膜晶体管的控制电极的上表面和侧表面;以及
第四绝缘层,所述第四绝缘层布置在所述第三绝缘层上,并且覆盖所述第二薄膜晶体管的输入电极的上表面和侧表面,覆盖所述第二薄膜晶体管的输出电极的上表面和侧表面,并且覆盖所述第二薄膜晶体管的所述氧化物半导体图案的上表面。
8.如权利要求7所述的显示面板,其中,所述氧化物半导体图案的第一部分和第二部分分别布置在所述第二薄膜晶体管的所述输入电极和所述输出电极上。
9.如权利要求7所述的显示面板,其中,所述第二薄膜晶体管的所述输入电极和所述输出电极分别布置在所述氧化物半导体图案的第一部分和第二部分上方,并且所述氧化物半导体图案的第三部分从所述第二薄膜晶体管的所述输入电极和所述输出电极暴露。
10.如权利要求7所述的显示面板,还包括:
上部电极,所述上部电极布置在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间并且与所述第一薄膜晶体管的所述控制电极重叠。
11.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
光阻挡图案,所述光阻挡图案布置在所述有机层上,并且与所述第二薄膜晶体管的所述氧化物半导体图案重叠。
12.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述至少一个无机层包括氧化硅层和氮化硅层,其中所述氮化硅层与所述氧化硅层交替地布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





