[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

位于衬底上的第一沟道图案和第二沟道图案，所述第一沟道图案包括第一半导体图案和在所述第一半导体图案上方的第二半导体图案，所述第二沟道图案包括第三半导体图案和在所述第三半导体图案上方的第四半导体图案；

分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案接触的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其中所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案具有彼此不同的导电率；以及

分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案交叠的第一栅极电极和第二栅极电极，其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极沿第一方向延伸，

其中，所述第一栅极电极包括位于所述第一沟道图案的所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一段，所述第一段包括朝向所述第一源极/漏极图案突出的第一凸出部分，并且

其中，所述第二栅极电极包括位于所述第二沟道图案的所述第三半导体图案与所述第四半导体图案之间的第二段，所述第二段包括朝向所述第二段的中心凹陷的凹入部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极图案包括面向所述第一凸出部分的侧凹部。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二段与所述第二源极/漏极图案之间的阻挡绝缘图案，

其中，所述阻挡绝缘图案包括面向所述凹入部分的第二凸出部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极图案包括中部，其中，所述第一源极/漏极图案在与所述第一方向垂直的第二方向上的最大宽度位于所述中部，并且

其中，所述中部被定位成距所述衬底的距离与所述第一沟道图案的所述第二半导体图案距所述衬底的距离相等。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二源极/漏极图案包括上部，并且，其中所述第二源极/漏极图案在与所述第一方向垂直的第二方向上的最大宽度位于所述上部。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极电极还包括位于所述衬底与所述第一半导体图案之间的第三段，

其中，所述第三段在与所述第一方向垂直的第二方向上具有最大宽度，所述第三段的最大宽度大于所述第一段在所述第二方向上的最大宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二栅极电极还包括位于所述衬底与所述第三半导体图案之间的第三段，

其中，所述第三段在与所述第一方向垂直的第二方向上具有最大宽度，所述第三段的最大宽度大于所述第二段在所述第二方向上的最大宽度。

8.一种半导体器件，包括：

位于衬底上的第一沟道图案和第二沟道图案，所述第一沟道图案包括第一半导体图案和在所述第一半导体图案上方的第二半导体图案，所述第二沟道图案包括第三半导体图案和在所述第三半导体图案上方的第四半导体图案；

分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案接触的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其中所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案具有彼此不同的导电率；以及

与所述第二源极/漏极图案的侧表面接触的阻挡绝缘图案，

其中，所述第一源极/漏极图案的侧表面包括朝向所述第一源极/漏极图案的中心凹陷的侧凹部，并且

其中，所述阻挡绝缘图案包括在远离所述第二源极/漏极图案的方向上突出的第一凸出部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括与所述第一沟道图案交叠并沿第一方向延伸的栅极电极，

其中，所述栅极电极包括位于所述第一沟道图案的所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一段，并且，其中所述第一段包括面向所述侧凹部的第二凸出部分。