[发明专利]铁电存储器件在审

专利信息
申请号: 201811444610.5 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN110277410A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 刘香根 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L27/1159 分类号: H01L27/1159;H01L27/11592;H01L29/78
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 铁电存储器件 沟道层 铁电层 衬底 半导体 栅电极层 外延膜
【权利要求书】:

1.一种铁电存储器件,包括:

半导体衬底;

沟道层,其设置在所述半导体衬底上,所述沟道层具有外延膜;

铁电层,其设置在所述沟道层上;以及

栅电极层,其设置在所述铁电层上。

2.如权利要求1所述的铁电存储器件,其中,所述铁电层与所述沟道层接触。

3.如权利要求1所述的铁电存储器件,其中,所述外延膜包括碳化硅SiC或硅锗SiGe。

4.如权利要求3所述的铁电存储器件,其中,所述外延膜掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。

5.如权利要求3所述的铁电存储器件,其中,

所述沟道层的表面包含所述碳化硅的元素碳C或所述硅锗的元素锗Ge。

6.如权利要求3所述的铁电存储器件,其中,所述铁电层包括氧化铪HfO2、氧化锆ZrO2和氧化铪锆Hf0.5Zr0.5O2中的至少一种。

7.如权利要求6所述的铁电存储器件,其中,所述铁电层包括碳C、硅Si、镁Mg、铝Al、钇Y、氮N、锗Ge、锡Sn、锶Sr、铅Pb、钙Ca、钡Ba、钛Ti、锆Zr、钆Gd和镧La中的至少一种作为掺杂剂。

8.如权利要求1所述的铁电存储器件,其中,所述栅电极层包括从钨W、钛Ti、铜Cu、铝Al、钌Ru、铂Pt、铱Ir、氧化铱、氮化钨、氮化钛、氮化钽、碳化钨、碳化钛、硅化钨、硅化钛、硅化钽和氧化钌中选择的至少一种。

9.如权利要求1所述的铁电存储器件,还包括:

源极区和漏极区,所述源极区和所述漏极区在所述栅电极层的对置端处设置在所述半导体衬底中。

10.一种铁电存储器件,包括:

半导体衬底;

阈值开关层,其设置在所述半导体衬底上;

铁电层,其设置在所述阈值开关层上;以及

栅电极层,其设置在所述铁电层上。

11.如权利要求10所述的铁电存储器件,还包括:

界面绝缘层,其设置在所述半导体衬底与所述阈值开关层之间。

12.如权利要求10所述的铁电存储器件,其中,所述阈值开关层包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铪、氧化钨、氧化钛、氧化镍、氧化铜、氧化锰、氧化钽、氧化铌和氧化铁中的至少一种。

13.如权利要求12所述的铁电存储器件,其中,所述阈值开关层包括铝Al、镧La、铌Nb、钒V、钽Ta、钨W、铬Cr、钼Mo、铜Cu、锆Zr、铪Hf、钛Ti和镍Ni中的至少一种作为掺杂剂。

14.如权利要求10所述的铁电存储器件,其中,界面绝缘层包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

15.如权利要求10所述的铁电存储器件,其中,所述铁电层包括氧化铪HfO2、氧化锆ZrO2和氧化铪锆Hf0.5Zr0.5O2中的至少一种。

16.一种铁电存储器件,包括:

半导体衬底;

鳍式结构,其设置在所述半导体衬底上并具有沟槽,所述沟槽具有底表面和侧壁表面;

多个电阻层,其垂直层叠在所述沟槽中,每个电阻层具有不同的电阻;以及

栅电极层,其与所述多个电阻层中的每个电阻层电连接,

其中,所述多个电阻层设置在所述栅电极层与铁电层之间。

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