[发明专利]一种SONOS存储结构及其制造方法

权利要求书

1.一种SONOS存储结构，包括衬底和形成在所述衬底上的选择管栅极和存储管栅极，其特征在于，

所述衬底为复合衬底，所述复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，所述硅基体层的上部为存储管阱区；

所述选择管栅极和所述存储管栅极形成在所述硅表面层上；

所述选择管栅极包括选择管第一栅极和选择管第二栅极，所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极分别位于所述存储管栅极两侧，并与所述存储管栅极通过所述存储管栅极两侧的第一侧墙电性隔离；以及

所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极外侧的所述硅表面层上表面分别形成有与所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极毗邻的硅外延层；其中

与所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极毗邻的硅外延层分别接触所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极的底部外侧侧表面。

2.如权利要求1所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极关于所述存储管栅极对称。

3.如权利要求1所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述存储管栅极与所述硅表面层之间具有ONO存储层，所述选择管第一栅极、所述选择管第二栅极与所述硅表面层之间具有栅氧层。

4.如权利要求3所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述硅外延层的高度高于所述栅氧层的高度。

5.如权利要求3所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述第一侧墙还包括延伸至所述硅表面层上表面的延伸部，所述延伸部与所述硅外延层邻接，所述选择管第一栅极与所述选择管第二栅极形成在所述延伸部上方，所述栅氧层为所述延伸部。

6.如权利要求5所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述栅氧层为去除所述延伸部后，形成在所述硅表面层上表面的氧化层。

7.如权利要求1所述的SONOS存储结构，其特征在于，所述硅基体层的上部具有深阱区，所述存储管阱区位于所述深阱区的上部；以及

所述存储管阱区和所述硅基体层均为第一掺杂类型，所述深阱区为不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型，其中，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型；或

所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。

8.一种SONOS存储结构的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底为复合衬底，所述复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，所述硅基体层的上部形成有存储管阱区；

在所述硅表面层上形成存储管栅极，所述存储管栅极的两侧表面形成有第一侧墙；以及

在所述存储管栅极两侧的所述硅表面层上外延生长硅外延层，并形成选择管第一栅极和选择管第二栅极，其中

所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极分别位于所述存储管栅极两侧，并与所述存储管栅极通过所述第一侧墙电性隔离，且所述硅外延层毗邻所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极；其中

与所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极毗邻的硅外延层分别接触所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极的底部外侧侧表面。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成所述存储管栅极的步骤前，还包括，在所述硅表面层的上表面形成ONO存储层；以及

所述存储管栅极形成在所述ONO存储层上表面，所述第一侧墙形成在所述存储管栅极和所述ONO存储层的两侧表面。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成所述第一侧墙后，在所述第一侧墙侧表面形成第二侧墙，所述存储管栅极两侧的所述第二侧墙关于所述存储管栅极对称；

外延生长所述硅外延层、形成所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极的步骤进一步包括：

在毗邻所述第二侧墙的所述硅表面层上外延生长所述硅外延层；以及

去除所述第二侧墙，并在对应所述第二侧墙的区域形成所述选择管第一栅极和所述选择管第二栅极。