[发明专利]外延层结构及制备方法、剥离方法、太阳能电池制备方法在审
| 申请号： | 201811444002.4 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111244224A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张新勇 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 结构 制备 方法 剥离 太阳能电池 | ||
1.一种外延层结构制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成第一牺牲层、吸光层、第二牺牲层和外延功能层；
其中，所述吸光层用于在具有预设波长的光源的照射下吸热并将热量传导至所述第一牺牲层、所述第二牺牲层。
2.根据权利要求1所述的外延层结构制备方法，其特征在于，所述吸光层的材料为InxGa1-xAs，其中，x的取值范围为0.1～1。
3.根据权利要求2所述的外延层结构制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层与所述第二牺牲层的材料为AlxGa1-xAs，其中，x的取值范围为0.5～1。
4.根据权利要求1所述的外延层结构制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层与所述第二牺牲层的厚度之和的范围为20nm～100nm。
5.一种外延层结构，其特征在于，包括：依次叠置的衬底、第一牺牲层、吸光层、第二牺牲层以及外延功能层；其中，
所述吸光层用于在具有预设波长的光源的照射下吸热并将热量传导至所述第一牺牲层、所述第二牺牲层。
6.一种外延层结构剥离方法，其特征在于，包括：
将外延层结构浸入腐蚀液中，并且，向所述衬底背离所述外延功能层的一侧以具有预设波长的光源进行照射，通过调节光照强度，以调节所述第一牺牲层、所述第二牺牲层的腐蚀速度；其中，所述外延层结构为权利要求5所述的外延层结构。
7.根据权利要求8所述的外延层结构剥离方法，其特征在于，在所述将外延层结构浸入腐蚀液中的步骤之前，还包括：
依次形成背电极和柔性载体。
8.根据权利要求6所述的外延层结构剥离方法，其特征在于，所述预设波长的波长范围为900nm～1240/Eg吸光层，其中，Eg吸光层为所述吸光层的禁带宽度。
9.根据权利要求6所述的外延层结构剥离方法，其特征在于，所述腐蚀液为氢氟溶液。
10.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如权利要求6-9中任一所述的外延层结构剥离方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
