[发明专利]数据写入方法和存储装置

说明书

本发明涉及数据写入方法和存储装置。提供了能够在短处理时间内在多个存储装置中进行唯一数据的写入的数据写入方法。一种多个存储装置和向多个存储装置写入数据的写入装置执行的数据写入方法，包括：在写入装置中，保持针对多个存储装置的每个的写入对象的数据的步骤；从多个存储装置取得分配给多个存储装置的每个的识别信息的步骤；生成将针对多个存储装置的识别信息与写入对象的数据相对应地结合的结合数据的步骤；将结合数据发送到多个存储装置的步骤；在多个存储装置的每个中，接收结合数据的步骤；基于识别信息从结合数据提取与该存储装置对应的写入对象的数据的步骤；以及存储从结合数据提取的写入对象的数据的步骤。

技术领域

本发明涉及数据写入方法和存储装置。

背景技术

针对半导体存储装置，在装置的装配后并且在制品的出库前进行在该装置中写入固有的数据（以下，称为唯一数据（unique data））的处理。例如，在半导体存储装置的制造过程中，进行写入用于调整制造上的偏差的修整数据的处理。此时，在存在写入对象的多个半导体装置的情况下，进行按每个装置不同的唯一数据的写入。

在针对多个半导体存储装置的修整数据的写入中，为了避免工作的复杂化、错误，提出了具备在各半导体存储装置的内部计算修整值的单元的半导体存储装置（例如，专利文献1）。

另一方面，在写入对象的唯一数据是不能在各半导体存储装置的内部生成的数据的情况下，写入器等写入装置需要在各半导体存储装置中串行地写入数据。例如，写入装置从自身的数据库读出唯一数据，重复多次（即，半导体存储装置的个数量）将读出的唯一数据写入到对应的半导体存储装置的工作，由此，进行向多个半导体装置的唯一数据的写入。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-164865号公报。

发明内容

发明要解决的课题

在上述那样的唯一数据的串行的写入中，由于针对1个1个的半导体存储装置顺序地进行写入工作，所以存在花费与半导体存储装置的数量成比例的长度的处理时间这样的问题。此外，在写入唯一数据时，存在需要使写入对象的半导体存储装置的电源按其每次接通而半导体存储装置的启动所需的时间也与半导体存储装置的数量成比例地增大这样的问题。

本发明鉴于上述问题点而完成，其目的在于，提供能够在短处理时间内在多个存储装置中进行唯一数据的写入的数据写入方法。

用于解决课题的方案

本发明的数据写入方法是多个存储装置和向所述多个存储装置写入数据的写入装置执行的数据写入方法，其特征在于，包括：在所述写入装置中，保持针对所述多个存储装置的每个的写入对象的数据的步骤；从所述多个存储装置取得分配给所述多个存储装置的每个的识别信息的步骤；生成将针对所述多个存储装置的所述识别信息与所述写入对象的数据相对应地结合的结合数据的步骤；将所述结合数据发送到所述多个存储装置的步骤；在所述多个存储装置的每个中，接收所述结合数据的步骤；基于所述识别信息从所述结合数据提取与该存储装置对应的所述写入对象的数据的步骤；以及存储从所述结合数据提取的所述写入对象的数据的步骤。

此外，本发明的存储装置是存储数据的存储装置，其特征在于，具有：非易失性存储器；写入电路，向所述非易失性存储器写入数据；缓冲器，临时储存向所述非易失性存储器写入的数据；接收部，接收使针对多个存储装置的识别信息与写入对象的数据相对应地结合的结合数据、以及指示向所述非易失性存储器的数据的写入的写入信号；以及比较部，将在所述识别信息存储部中存储的所述识别信息与在所述结合数据中包括的针对所述多个存储装置的识别信息进行比较，所述比较部基于比较结果来从所述结合数据提取与所述存储装置对应的写入对象的数据，所述缓冲器临时储存由所述比较部所提取的所述写入对象的数据，所述写入电路响应于所述写入信号而将从所述缓冲器读出的所述写入对象的数据写入到所述非易失性存储器。