[发明专利]具有垂直设计结构及基于给体-受体的有机半导体材料的高电流OTFT装置

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

基材；

集电极层；

相对于集电极正偏置的发射极层；

金属栅格，其包含具有开口的金属层，所述金属栅格位于集电极与发射极之间但不与集电极和发射极直接接触，其中，每个开口沿着其最长尺寸的长度为约50nm至约800nm；以及

位于集电极与发射极之间的半导体层，所述半层体层包含具有以下结构的有机半导体聚合物：

其中，每个D是独立选定的具有5至50个骨架原子的共轭给电子芳族或杂芳族基团，并且每个D基团任选地被一个或多个给电子取代基或吸电子取代基取代，条件是即使是被取代时，每个D的电子特性仍是给电子的；每个A是独立选定的具有5至50个骨架原子的共轭受电子芳族或杂芳族基团或是被一个或两个吸电子取代基取代的亚乙烯基，每个A任选地被一个或多个给电子取代基或吸电子取代基取代，条件是即使是被取代时，每个A的电子特性是受电子的；a和b各自为1至4的整数，并且n是2至10,000的整数。

2.如权利要求1所述的装置，其中，每个D独立地为以下一种：

其中，每个x独立地为NR₆、S、Se或O；每个R₁独立地为氢、C₁-C₄₀烷基、C₁-C₄₀烯基、C₁-C₄₀炔基、C₁-C₄₀烷氧基、C₁-C₄₀环烷基、C₁-C₄₀芳基、C₁-C₄₀杂芳基、C₁-C₄₀杂环烷基、C₁-C₄₀共轭基团——其中的任何一种可以被任选取代、或卤素；每个R₅独立地为氢、C₁-C₄₀烷基、C₁-C₄₀烯基、C₁-C₄₀烷氧基、C₁-C₄₀环烷基、C₁-C₄₀芳基、C₁-C₄₀杂芳基或C₁-C₄₀共轭基团——其中的任何一种可以被任选取代；并且每个R₆独立地为氢、C₁-C₄₀烷基。