[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的半导体系统有效

专利信息
申请号: 201811442040.6 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN110364217B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 李性柱 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/14 分类号: G11C29/14;G11C29/46
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 以及 包括 半导体 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体系统,包括:

第一半导体器件,其被配置为控制测试模式,被配置为输出芯片标识,以及被配置为接收外部数据;以及

第二半导体器件,其被配置为包括多个存储器芯片,

其中,当在所述测试模式下执行写入操作时,来自所述多个存储器芯片的一个或更多个存储器芯片基于所述芯片标识而被激活,以将输入数据储存到所述多个存储器芯片中已被激活的每一个存储器芯片中,以及

其中,当在所述测试模式下执行读取操作时,所述多个存储器芯片中的至少两个存储器芯片响应于所述芯片标识而被激活,以输出所储存的输入数据作为所述外部数据,以及

其中,所述测试模式包括第一测试模式和第二测试模式,所述第一测试模式是其中所述多个存储器芯片之中彼此紧邻的两个存储器芯片被激活以执行读取操作的模式,以及所述第二测试模式是其中通过所述多个存储器芯片之中的至少一个存储器芯片而彼此分离的两个存储器芯片被激活以执行读取操作的模式。

2.如权利要求1所述的半导体系统,其中,在所述读取操作期间从所述第二半导体器件输出的所述外部数据包括关于所述多个存储器芯片是否正常工作的信息。

3.如权利要求1所述的半导体系统,

其中,所述测试模式还包括第三测试模式;

其中,所述多个存储器芯片包括层叠在所述第一半导体器件上的第一组存储器芯片和层叠在所述第一组存储器芯片上的第二组存储器芯片;

其中,在所述第一测试模式下执行对所述第一组存储器芯片之中或所述第二组存储器芯片之中彼此紧邻的两个存储器芯片的读取操作;

其中,在所述第二测试模式下执行对通过所述第一组存储器芯片之中或所述第二组存储器芯片之中的至少一个存储器芯片而彼此分离的两个存储器芯片的读取操作;以及

其中,在所述第三测试模式下执行对所述第一组存储器芯片之中的任意一个和对所述第二组存储器芯片之中的任意一个的读取操作。

4.如权利要求3所述的半导体系统,

其中,所述外部数据包括第一外部数据和第二外部数据;以及

其中,在所述第一测试模式或所述第二测试模式下执行读取操作的所述两个存储器芯片中的一个存储器芯片输出储存在其中的所述输入数据作为所述第一外部数据,而在所述第一测试模式或所述第二测试模式下执行读取操作的所述两个存储器芯片中的另一个存储器芯片输出储存在其中的所述输入数据作为所述第二外部数据。

5.如权利要求3所述的半导体系统,

其中,所述外部数据包括第一外部数据和第二外部数据;以及

其中,所述第一组存储器芯片中在所述第三测试模式下执行读取操作的一个存储器芯片输出储存在其中的所述输入数据作为所述第一外部数据;以及

其中,所述第二组存储器芯片中在所述第三测试模式下执行读取操作的一个存储器芯片输出储存在其中的所述输入数据作为所述第二外部数据。

6.如权利要求1所述的半导体系统,

其中,所述外部数据包括第一外部数据和第二外部数据;

其中,所述多个存储器芯片包括第一组存储器芯片和第二组存储器芯片;

其中,所述第一组存储器芯片包括第一存储器芯片和第二存储器芯片,所述第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个在所述写入操作期间储存所述输入数据,并且储存在根据所述芯片标识的逻辑电平组合而从所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片中选择的任意一个存储器芯片中的所述输入数据在所述读取操作期间基于测试控制信号而被输出为所述第一外部数据;以及

其中,所述第二组存储器芯片包括第三存储器芯片和第四存储器芯片,所述第三存储器芯片和所述第四存储器芯片中的每一个在所述写入操作期间储存所述输入数据,并且储存在根据所述芯片标识的逻辑电平组合而从所述第三存储器芯片和所述第四存储器芯片中选择的任意一个存储器芯片中的所述输入数据在读取操作期间基于测试控制信号而被输出为所述第二外部数据。

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