[发明专利]一种二极管腐蚀清洗工艺

说明书

本发明涉及一种二极管腐蚀清洗工艺，所述清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡,其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层,钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污。本发明的优点在于：添加热水冲水浸泡工艺，使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，提升清洗效果，从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流，提升产品的良率及可靠性。

技术领域

本发明涉及一种二极管腐蚀清洗机，特别涉及一种能够有效降低二极管反向漏电流及提升二极管产品可靠性的二极管腐蚀清洗机。

背景技术

传统二极管腐蚀清洗机工艺流程:腐蚀工位；钝化工位；钝化表面杂质清洗工位。该工艺存在以下不足之处:资源如纯水消耗量大、产品反向漏流值高，稳定性差、工艺管控范围窄，对员工技能及责任性要求高，易产生波动，而且芯片表面沾污而导致的产品漏电流，产品的良率及可靠性降低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够有效降低二极管反向漏电流及提升二极管产品可靠性的二极管腐蚀清洗机。

为解决上述技术问题，本发明为一种二极管腐蚀清洗工艺，其创新点在于:腐蚀清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡，其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层，钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污；热水冲水浸泡工艺使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解。具体步骤如下:

第一步，腐蚀:选取以下材料的混合液作为腐蚀液，具体HNO₃:HF:CH₃COOH:H₂SO₄＝9:9:12:4，然后在温度为25℃±5℃腐蚀浸泡一次；

第二步，钝化:钝化时，钝化工艺所用原材料及配比为:H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:3，然后在温度65℃±10℃钝化一次；

第三步，钝化杂质清洗:清洗液为NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:1:5，在温度为25℃±3℃清洗一次；

第四步，热水冲洗浸泡:在温度为55-70℃，冲洗浸泡30S；

进一步地，所述腐蚀液中，HNO₃的浓度为68.5％±2％，HF的浓度为49％±0.5％，CH₃COOH的浓度为大于等于99.5％；H₂SO₄的浓度为97％±1％。

进一步地，所述钝化原材料中，H₃PO₄的浓度大于等于85％，H₂O₂的浓度大于等于35％。

进一步地，所述清洗液中NH₄OH的浓度17％±1％，H₂O₂的浓度大于等于35％。

本发明的优点在于:添加热水冲水浸泡工艺，使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流，提升产品的良率及可靠性。

具体实施方式