[发明专利]一种台面型二极管的加工工艺

说明书

本发明公开了一种台面型二极管的加工工艺，该加工工艺包括以下步骤：扩散片制作完成→光刻沟槽→腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗。该发明通过按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽将台面结构二极管PN结几何形状腐蚀出成圆形状，圆形具有平缓的弧形表面，可以有最高的击穿电压，有效的提高了器件的击穿电压效果。

技术领域

本发明涉及半导体电子元件技术领域，具体为一种台面型二极管的加工工艺。

背景技术

台面型二极管，PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。

PN结几何形状和半导体表面电场对击穿电压的影响十分显著。由于棱角电场和表面电场对击穿电压的不利影响，高压二极管一般不采用平面结构而常用台面结构。目前，现有的一般台面结构二极管PN结几何形状对提高器件的击穿电压效果较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种台面型二极管的加工工艺，以解决现有的一般台面结构二极管PN结几何形状对提高器件的击穿电压效果较差的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种台面型二极管的加工工艺，该加工工艺包括以下步骤：

扩散片制作完成→光刻沟槽→腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗。

S1、将扩散出PN结的硅片根据所需芯片的尺寸规格进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜的光刻过程，做好光刻圆状图形；

S2、按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，保持各芯片间连接而不断离，再进行去胶清洗；

S2、配制玻璃浆用溶剂：将乙基纤维素和稀释剂按1g：10ml的比例放在烧杯中加热搅拌溶解，制成玻璃浆用溶剂；

S2、配制玻璃浆：将玻璃浆用溶剂和铅系玻璃粉按3ml：5g比例倒入茄形瓶中进行搅拌；

S3、将搅拌好的玻璃浆滴到腐蚀出沟槽的硅片表面，用不锈钢勺子在硅片上涂敷，使玻璃浆均匀涂满沟槽内，再用不锈钢刮刀将多余的玻璃浆从硅片表面轻轻刮下，随后将此硅片放入石英舟内；

S4、玻璃预烧：推入炉口烘12-18分钟，推入预烧温度为420-480℃，推入预烧时间为25-28分钟，同时烧去光刻胶层；预烧温度调到565～575℃，将装有涂敷好玻璃浆硅片的石英舟放入石英管中预烧，时间为25分钟；

S5、擦拭预烧后硅片：将预烧后的硅片表面的玻璃粉擦拭干净，且注意沟槽内玻璃浆不要擦掉；

S6、玻璃烧成：对经过表面玻璃粉擦拭的硅片进行玻璃烧成，同时去光刻胶，烧成温度为830-840℃，烧成时间为12-18分钟，降温至500-550℃，时间为30分钟，自然降温至200℃以下即可出炉；

S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；

S8、将玻璃钝化后的硅片经清洗、镀镍或镀金合金化后进行划片，制成硅整流器件的芯片。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：该发明通过按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，将台面结构二极管PN结几何形状腐蚀出成圆形状，圆形具有平缓的弧形表面，可以有最高的击穿电压，有效的提高了器件的击穿电压效果。