[发明专利]一种稀土掺杂玻璃光纤及其制备方法

权利要求书

1.一种稀土掺杂玻璃光纤，其特征在于，所述光纤包括稀土掺杂纤芯和套设于纤芯表面的包层，所述稀土掺杂纤芯形成沿中心轴往外的低掺杂通路，所述低掺杂通路在所述纤芯的横截面形成穿过中心的一条或多条直线、曲线或其组合。

2.根据权利要求1所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，所述包层包括内包层和套设在所述内包层表面的外包层。

3.根据权利要求1所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，所述低掺杂通路为放射状。

4.根据权利要求1所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，所述低掺杂通路为螺旋状。

5.根据权利要求1所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，掺杂稀土离子为铥离子或钬离子。

6.根据权利要求1所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，纤芯低掺杂通路以外的部分掺杂浓度由内向外递增。

7.根据权利要求5所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，纤芯低掺杂通路以外的部分玻璃基质摩尔百分比组成范围如下:

SiO₂：30~35

GeO₂：25~45

Ga₂O₃：15~30

MF₂：5~10

M’₂O：5~10

Tm₂O₃：1~5

其中，M为 Ba、Ca、Sr、Mg中的一种或任几种的组合；M’为Na、K、Li中的一种或任几种的组合。

8.根据权利要求5所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，低掺杂通路部分玻璃基质的摩尔百分比组成范围如下:

SiO₂：30~35

GeO₂：25~45

Ga₂O₃：15~30

MF₂：5~10

M’₂O：5~10

Tm₂O₃：0.1～0.8

其中，M为 Ba、Ca、Sr、Mg中的一种或任几种的组合；M’为Na、K、Li中的一种或任几种的组合。

9.根据权利要求5所述的掺杂玻璃光纤，其特征在于，低掺杂通路部分玻璃基质的摩尔百分比组成范围如下:

SiO₂：30~35

GeO₂：25~45

Ga₂O₃：15~30

MF₂：5~10

M’₂O：5~10

Ho₂O₃：0.08～0.4

其中，M为 Ba、Ca、Sr、Mg中的一种或任几种的组合；M’为Na、K、Li中的一种或任几种的组合。

10.一种制备权利要求1-9任一项所述光纤的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）按照摩尔百分比称取低掺杂部分材料，放入容器中进行研磨，混合均匀，利用模具，通过气相沉积方法，制备出低掺杂部分；

（2）按照摩尔百分比称取掺杂部分材料，放入容器中进行研磨，混合均匀，在低掺杂部分的基础上，通过气相沉积方法，制备出光纤纤芯；

（3）使内包层粉体沉积在纤芯的表面，形成内包层；

（4）使外包层粉体沉积在内包层的表面，形成外包层，制成光纤预制棒；

（5）将该光纤预制棒进行拉丝处理。