[发明专利]一种发光器件及显示器有效
| 申请号： | 201811438344.5 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111244298B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 陈涛 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光 器件 显示器 | ||
1.一种发光器件，其特征在于，包括依次层叠布置的阳极、发光层、电子传输层、电子蓄积层以及阴极；
其中，所述电子蓄积层的最低未占分子轨道能级小于所述电子传输层的最低未占分子轨道能级，且所述电子蓄积层的最低未占分子轨道能级与所述电子传输层的最低未占分子轨道能级差值的绝对值大于0.2eV且小于等于1.5eV；
所述电子蓄积层的材料包括BaTiO3、FeTiO3、NiTiO3、CoTiO3、ZnTiO3、SnO2、Bi2O3、CdO中的任一者或多者的组合。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子蓄积层的最低未占分子轨道能级与所述电子传输层的最低未占分子轨道能级的差值的绝对值大于0.2eV且小于等于0.6eV，或绝对值为0.5eV～0.9eV，或绝对值为0.7eV～1.1eV。
3.根据权利要求1～2中任意一项所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括非掺杂氧化锌纳米晶和/或至少一种的掺杂氧化锌纳米晶。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，在所述至少一种的掺杂氧化锌纳米晶中，掺杂元素包括镁、铝、铟、锂、镉、钙或锰中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阴极的最低未占分子轨道能级大于所述电子蓄积层的最低未占分子轨道能级。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层为量子点发光层，所述阳极为透明电极，所述透明电极包括导电玻璃，所述阴极为银电极或铝电极。
7.一种显示器，其特征在于，包括至少一个如权利要求1～6中任意一项所述的发光器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司，未经纳晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811438344.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
