[发明专利]一种增强型离子源

权利要求书

1.一种增强型离子源，包括离子源腔室(1)，其特征在于：所述离子源腔室(1)沿工作气体流动方向依次设置有气体入口(41)、气体均布室(4)、气体出口(42)、电离室(7)与离子射出口(5)；所述电离室(7)用于工作气体的电离；所述气体均布室(4)用于工作气体的流速降低和气体均匀分布。

2.根据权利要求1所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述电离室(7)内设有电场产生部件和磁场产生部件(3)；所述电场产生部件包括平行设置的阴极(6)与阳极(2)；所述阳极(2)位于电离室(7)中部；所述阴极(6)与离子射出口(5)分别设于电离室(7)的壁上；所述磁场产生部件(3)的设置方向与电场产生部件的电场线方向相垂直。

3.根据权利要求1所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述气体均布室(4)为至少3个相串联的气室。

4.根据权利要求3所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述气室数至少包括第一气室(43)、第二气室(44)与第三气室(45)；所述气体入口(41)设于第一气室(43)的室壁上，气体出口(42)设于第三气室(45)的室壁上；所述第一气室(43)与第二气室(44)、第二气室(44)与第三气室(45)之间分别设置有用于气流导通的第一导通口(46)和第二导通口(47)；所述气体入口(41)与第一导通口(46)、第一导通口(46)和第二导通口(47)均彼此错位排布。

5.根据权利要求4所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述第一导通口(46)为均匀设置；所述第二导通口(47)为均匀设置。

6.根据权利要求1所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述阴极(6)与阳极(2)间加设有3000V～5000V的高压电场；所述电场的电场强度、磁场产生部件(3)产生磁场的磁场强度以及粒子的旋转半径满足洛伦茨力公式。

7.根据权利要求4所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述第二气室(44)室壁上设置有凸块，所述第二导通口(47)沿气流方向设置于凸块处。

8.根据权利要求7所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述凸块靠近第一气室(43)的室壁。

9.根据权利要求1所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述工作气体为氩气、氮气、乙炔、氧气、氢气、甲烷的至少一种。

10.根据权利要求1所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述磁场产生部件(3)为永磁铁。