[发明专利]一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用在审
| 申请号： | 201811435791.5 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109596041A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;孙浩庭;陈卫超;刘远兵 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变计 薄膜 铟锡氧化物 晶面 铟锡氧化物薄膜 磁控溅射 温度稳定性 体心立方 择优取向 铁锰矿 多晶 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用，其特征在于：利用磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成薄膜应变计。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述薄膜应变计的厚度为≥300nm。
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述铟锡氧化物的纯度为99.99％，其中：三氧化二铟的质量百分比为90wt.％，二氧化锡的质量百分比为10wt.％。
4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所述磁控溅射的功率密度为4.8-8.0W/cm2。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：所述磁控溅射的温度为自然室温。
6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述磁控溅射的工作气体为氩，所述氩的纯度为99.99％。
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