[发明专利]一种硅晶圆的蚀刻液在审
| 申请号： | 201811435355.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109321253A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李少平;张庭;贺兆波;尹印;冯凯;万杨阳;王书萍 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 硅晶圆 蚀刻液 硝酸 形貌 表面活性剂 表面形貌 溶液粘度 氧化物 稀释剂 电子级氢氟酸 氧化剂 醋酸 电子级醋酸 电子级磷酸 电子级硫酸 电子级硝酸 蚀刻均匀性 蚀刻表面 稳定反应 氧化能力 超纯水 电离度 氢氟酸 溶解剂 磷酸 传质 可控 去除 硫酸 平整 溶解 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液主要成分包括占蚀刻液总重量10-50%的硝酸，1-5%的氢氟酸，5-20%的硫酸，10-30%的磷酸，1-10%的醋酸，0.001-3%的表面活性剂，20-50%的水。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的表面活性剂为非离子表面活性剂，具体为聚氧乙烯辛基苯酚醚-10、脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯、环氧乙烷环氧丙烷嵌段聚醚中的一种或几种的混合物。
3.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的水是在25℃下电阻率≥15.0MΩ*cm的超纯水。
4.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的硝酸为电子级硝酸，浓度为68-72%。
5.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的氢氟酸为电子级氢氟酸，浓度为45-60%。
6.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的硫酸为电子级硫酸，浓度≥96%。
7.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的磷酸为电子级磷酸，浓度≥85%。
8.根据权利要求1所述的硅晶圆的蚀刻液，其特征在于，所述的醋酸为电子级醋酸，浓度≥98%。
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