[发明专利]支承组件和支承组件的组装方法

说明书

本发明提供一种支承组件和支承组件的组装方法。以简易的结构抑制异常放电，同时实现向聚焦环的电压施加。在一技术方案中，提供支承组件。支承组件具备静电卡盘、下部电极、至少1个导电构件、以及绝缘构件。下部电极具有：卡盘支承面，其支承静电卡盘；和环支承面，其以包围卡盘支承面的方式形成，用于支承聚焦环。在环支承面上形成有接触电极。至少1个导电构件将接触电极和聚焦环电连接。绝缘构件在包围至少1个导电构件的状态下介于下部电极的环支承面与聚焦环之间。

技术领域

本公开的实施方式涉及支承组件和支承组件的组装方法。

背景技术

在电子器件的制造中，为了进行基板的加工，进行等离子体处理。在等离子体处理中，使用等离子体处理装置。一般而言，等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、以及高频电源。腔室主体提供其内部空间作为腔室。载物台设置于腔室内。载物台具有下部电极和静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极上。高频电源为了生成腔室内的气体的等离子体，向下部电极供给高频。在载物台上以包围被载置到静电卡盘上的基板的边缘的方式配置有聚焦环。聚焦环是为了使离子相对于基板垂直地入射而设置的。

聚焦环随着等离子体处理被执行的时间的经过而消耗。若聚焦环消耗，则聚焦环的厚度减少。在聚焦环的厚度减少了的情况下，在聚焦环和基板的边缘区域的上方，鞘层的形状变化。如此鞘层的形状变化了的情况下，向基板的边缘区域入射的离子的入射方向相对于铅垂方向倾斜。其结果，在基板的边缘区域形成的开口相对于基板的厚度方向倾斜、或面内蚀刻速度产生波动。

为了在基板的边缘区域中形成与基板的厚度方向平行地延伸的开口、或使面内蚀刻速度均匀化，需要对聚焦环和基板的边缘区域的上方的鞘层的形状进行控制而对离子向基板的边缘区域的入射方向的倾斜进行校正。只要能够对聚焦环和基板的边缘区域的上方的鞘层的形状进行控制，就不仅能够扩展聚焦环的消耗对策，而且能够扩展蚀刻条件的选项。

为了对聚焦环和基板的边缘区域的上方的鞘层的形状进行控制，开发了构成为对聚焦环施加负的直流电压的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置记载于例如专利文献1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-239222号公报

发明内容

发明要解决的问题

不过，在等离子体处理中，在电压施加到聚焦环的情况下，在聚焦环与下部电极之间有可能产生异常放电。在本技术领域中，要求以简易的结构抑制异常放电，同时实现向聚焦环的电压施加。

用于解决问题的方案

在一技术方案中，提供支承组件。支承组件具备静电卡盘、下部电极、至少1个导电构件、以及绝缘构件。下部电极具有：卡盘支承面，其支承静电卡盘；以及环支承面，其以包围卡盘支承面的方式形成，用于支承聚焦环。在环支承面上形成有接触电极。至少1个导电构件将接触电极和聚焦环电连接。绝缘构件在包围至少1个导电构件的状态下介于下部电极的环支承面与聚焦环之间。

在一技术方案的支承组件中，在包围至少1个导电构件的状态下绝缘构件介于下部电极的环支承面与聚焦环之间。由此，能够抑制异常放电。另外，聚焦环利用至少1个导电构件与接触电极连接。因此，施加到接触电极的电压借助至少1个导电构件施加于聚焦环。如此，不对装置施加较大的变更，一技术方案的支承组件就能够一边抑制异常放电一边对聚焦环施加电压。因而，支承组件能够以简易的结构抑制异常放电，同时实现向聚焦环的电压施加。

在一实施方式中，也可以是，接触电极在环支承面的整周上形成，所述至少1个导电构件在环状的绝缘构件的整周上配置。在该情况下，电压被施加于聚焦环的整周，因此，能够减少电的和热的偏差。