[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 201811434028.0 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109545831B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 张国峰;姜文鑫;李喜烈 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,具有显示区和围绕所述显示区的非显示区,其特征在于,包括:
衬底基板;
阵列层,所述阵列层位于所述衬底基板的一侧,所述阵列层包括源漏极金属层,所述源漏极金属层包括位于所述非显示区内的走线部;
平坦化层,所述平坦化层位于所述阵列层远离所述衬底基板的一侧;
显示功能层,所述显示功能层位于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,所述显示功能层包括像素定义层、位于所述显示区的发光器件和位于所述非显示区的连接线,所述发光器件包括阳极、与所述阳极相对设置的阴极、和形成于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层,所述连接线和所述阳极同层设置,且两者的材料相同;
封装层,所述封装层位于所述显示功能层远离所述衬底基板的一侧,所述封装层包括至少一个无机层,至少一个所述无机层位于所述封装层靠近所述衬底基板的一侧;
所述连接线与所述走线部电连接,所述连接线包括多个第一镂空部;
所述像素定义层至少覆盖所述第一镂空部的边缘;
所述连接线至少包括覆盖于所述走线部的接触部,所述显示面板还包括位于所述非显示区的第一保护层,所述第一保护层和所述平坦化层的材料相同;所述第一镂空部位于所述接触部,位于所述接触部的所述第一镂空部暴露出所述走线部,所述第一保护层位于所述接触部的所述第一镂空部内,所述像素定义层和所述第一保护层远离所述衬底基板的一侧相接触。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述非显示区的第一阻挡部、第二阻挡部和有机结构体;
所述有机结构体的材料和所述像素定义层相同,且两者同层设置;
所述第一阻挡部位于所述第二阻挡部和所述显示区之间;
所述有机结构体位于所述第一阻挡部和所述显示区之间,所述阴极延伸至所述非显示区,且其覆盖所述有机结构体;
所述连接线还和所述阴极电连接;
所述连接线和所述走线部均位于所述第二阻挡部与所述有机结构体之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述连接线位于所述第一阻挡部和所述有机结构体之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
在所述有机结构体指向所述第一阻挡部的方向上,所述接触部的长度为D;其中,
10um≤D≤200um。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述连接线还包括覆盖于部分所述平坦化层的非接触部。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述第一镂空部至少位于所述非接触部,位于所述非接触部的所述第一镂空部暴露出所述平坦化层,在所述第一镂空部内,所述像素定义层和所述平坦化层相接触。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述接触部包括多个沿垂直于所述衬底基板的方向延伸的堤部,所述堤部位于所述接触部中的所述第一镂空部的边缘,且所述堤部围绕所述第一镂空部,所述第一保护层位于所述堤部内。
8.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述非显示区的第一钝化层;
所述第一镂空部暴露出所述走线部,所述第一钝化层位于所述第一镂空部内,所述像素定义层和所述第一钝化层相接触。
9.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述走线部包括多个第二镂空部,所述第二镂空部沿垂直于所述衬底基板的方向贯穿所述走线部,所述第二镂空部在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一镂空部在所述衬底基板上的垂直投影内。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,还包括位于所述非显示区的第二保护层,所述第二保护层和所述平坦化层的材料相同,所述第二保护层位于所述第一镂空部和所述第二镂空部内,所述像素定义层和所述第二保护层相接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的