[发明专利]一种低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤

权利要求书

1.一种低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r₁为5.0～6.5μm，相对折射率差Δn₁为0.16～0.32％，芯层外从内向外依次包覆内包层、第一下陷包层、第二下陷包层和外包层，所述的内包层半径r₂为9.0～11.0μm，相对折射率差Δn₂为-0.08～0.00％，所述的第一下陷包层半径r₃为12.0～13.0μm，相对折射率差Δn₃为-0.42～-0.52％，所述的第二下陷包层半径r₄为13.0～20.0μm，相对折射率差Δn₄为-0.08～-0.32％；所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层；所述的光纤由等于或大于1500m/min的拉丝速度拉丝而成；所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.172dB/km。

2.按权利要求1所述的低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗、氟及碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，碱金属掺杂量按重量计为500～2000ppm；所述内包层为锗、氟及碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，碱金属掺杂量按重量计为50～400ppm。

3.按权利要求1或2所述的低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，其特征在于所述的芯层相对折射率差Δn₁大于内包层相对折射率差Δn₂，内包层相对折射率差Δn₂大于第二下陷包层相对折射率差Δn₄，所述第二下陷包层的相对折射率差Δn₄大于第一下陷包层相对折射率差Δn₃，即Δn₁＞Δn₂＞Δn₄＞Δn₃。

4.按权利要求1或2所述的低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的有效面积为110～140μm²。

5.按权利要求1或2所述的低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长小于1530nm。

6.按权利要求1或2所述的低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的色散系数为17～23ps/(nm·km)；在1550nm波长处的色散斜率为0.050～0.070ps/(nm²·km)。

7.按权利要求1或2所述的低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在弯曲半径30mm，弯曲圈数100圈的条件下，1550nm波长处的附加损耗小于0.05dB；所述光纤在弯曲半径15mm，弯曲圈数10圈的条件下，1550nm波长处的附加损耗小于0.25dB；所述光纤在弯曲半径10mm，弯曲圈数1圈的条件下，1550nm波长处的附加损耗小于0.75dB。

8.按权利要求1或2所述的低衰减和低弯曲损耗的大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤涂有树脂涂料层，包括有内涂覆层和外涂覆层，所述的内涂覆层直径为185～205μm，内涂覆层的杨氏模量为0.1～0.4MPa，外涂覆层直径为235～255μm，外层涂覆的杨氏模量为1000～2000MPa。