[发明专利]一种低硅铝比MTW型分子筛合成方法

权利要求书

1.一种低硅铝比MTW型分子筛的合成方法，其特征在于：以有机胺为模板剂，将硅源、铝源合成低硅铝比MTW型分子筛；包括以下步骤：

1）制备前体混合物：将硅源、铝源、有机胺、水按一定比例混合，搅拌至均匀，形成前体混合物A，A中SiO₂:Al₂O₃:有机胺: H₂O摩尔比例为1:0.005-0.0125:0.125-0.20:8-20；

2）将制得的前体混合物A于80℃-300℃条件下加热晶化5h-72h后，冷却至室温，得到混合物B；

3）向混合物B中加入一定量的铝源和水，搅拌至均匀，得到混合物C，C中SiO₂:Al₂O₃:有机胺: H₂O摩尔比例为1:0.018-0.3:0.15-0.25:8-30；

4）将混合物C于80℃-300℃条件下加热晶化5h-120h；

5）晶化结束后，将混合物冷却至室温，过滤、洗涤并干燥，在500°C-800°C下焙烧5h-36h，得到的固体为低硅铝比MTW型分子筛；

所述硅源、铝源均按照其氧化物形式计算。

2.按照权利要求1所述的合成方法，其特征在于：步骤1)中硅源为硅溶胶、水玻璃、白炭黑、正硅酸乙酯中的一种或二种以上；铝源为异丙醇铝、偏铝酸钠、拟薄水铝石、硫酸铝、硝酸铝中的一种或二种以上；有机胺为四乙基氢氧化铵、四乙基溴化铵、四乙基氯化铵、甲基三乙基溴化铵、甲基三乙基氯化铵中的一种或两种以上。

3.按照权利要求1所述的合成方法，其特征在于：步骤2)混合物A晶化温度为100℃-200℃；晶化时间为10h-48h。

4.按照权利要求1所述的合成方法，其特征在于：步骤4)混合物C晶化温度为100℃-200℃；晶化时间为12h-100h。

5.按照权利要求1所述的合成方法，其特征在于：步骤5)中焙烧温度为550℃-700℃；焙烧时间为12h-24h。