[发明专利]非易失性存储器装置、其操作方法及数据存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器单元阵列；

外围电路，对所述存储器单元阵列执行与从外部装置提供的命令相对应的操作；

失败发生寄存器，存储用于故意引起操作失败发生的失败发生信息；以及

控制逻辑：

基于从所述外部装置接收的失败发生命令，将失败发生信息存储在所述失败发生寄存器中；

控制所述外围电路对所述存储器单元阵列执行与从所述外部装置接收的测试操作命令相对应的测试操作；以及

基于所述失败发生信息，控制所述外围电路在所述测试操作中引起故意失败发生。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述失败发生寄存器配置有第一区域、第二区域和第三区域，在所述第一区域中存储用于设置是否引起失败发生的值，在所述第二区域中存储引起所述失败发生的操作的类型，在所述第三区域中存储表示失败发生条件的值。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中所述失败发生条件包括脉冲计数、验证计数、操作时间、编程电压电平、验证电压电平和不可校正的错误校正码即UECC读取数据输出中的一个或多个。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中当所述失败发生条件包括所述脉冲计数、所述验证计数、所述操作时间、所述编程电压电平和所述验证电压电平中的一个或多个时，所述控制逻辑在满足所述失败发生条件的时间点中断执行所述测试操作并且向所述外部装置报告失败的发生。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中当所述失败发生条件包括所述UECC读取数据输出时，所述控制逻辑将通过所述测试操作从所述存储器单元阵列读出的读取数据的一些位进行反转并且将具有一些反转的位的所述读取数据发送到所述外部装置。

6.一种用于操作非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括控制逻辑和失败发生寄存器，所述方法包括：

从外部装置接收失败发生命令；

基于所述失败发生命令将失败发生信息存储在失败发生寄存器中；

从所述外部装置接收测试操作命令，所述测试操作命令包括写入操作命令、擦除操作命令和读取操作命令；

执行与所述测试操作命令相对应的测试操作；

所述控制逻辑通过参考所述失败发生寄存器来检查所述失败发生信息；以及

基于所述失败发生信息引起针对所述测试操作的失败发生。

7.根据权利要求6所述的方法，其中引起失败发生包括在满足失败发生条件的时间点中断执行所述测试操作，所述失败发生条件包括脉冲计数、验证计数、操作时间、编程电压电平、验证电压电平和不可校正的错误校正码即UECC读取数据输出中的一个或多个。

8.根据权利要求7所述的方法，其中引起失败发生包括：当所述失败发生条件包括所述脉冲计数、所述验证计数、所述操作时间、所述编程电压电平和所述验证电压电平中的一个或多个时，

在满足所述失败发生条件的时间点中断执行所述测试操作；并且

向所述外部装置报告失败的发生。

9.根据权利要求7所述的方法，其中引起失败发生包括：当所述失败发生条件包括所述UECC读取数据输出时：

通过所述测试操作反转从存储器单元阵列读出的读取数据的一些位；以及

将具有一些反转的位的所述读取数据发送到所述外部装置。