[发明专利]光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置

说明书

本发明提供了光刻胶层的曝光后烘烤方法和烘烤装置，曝光后烘烤通过采用反面烘烤(朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面)或双面烘烤方式来改善或控制光刻胶层顶部和底部的PAC分布，进而影响光刻胶层不同区域的显影速率，最终改变负胶沟槽形貌，以使负胶沟槽开口减小的同时侧壁角不增大，即保证后续对所述光刻胶层执行显影工艺所得到的负胶沟槽始终为正梯形沟槽，解决了缩小沟槽开口宽度的同时沟槽侧壁角会增大使得金属剥离难度增加的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置。

背景技术

当前，LED芯片电极层的制作普遍采用Lift-Off工艺，即金属剥离工艺。首先通过光刻形成沟槽，其次采用蒸发设备蒸发金电极，最后通过超声震荡、白膜剥离，将沟槽的金留下，光刻胶阻挡的部分的金属去除。由于蒸发角度与衬底不是垂直关系，为防止蒸镀过程中光刻胶沟槽顶部、侧壁、底部镀金相连导致无法剥离，要求光刻胶膜厚要比金属膜厚大且光刻胶沟槽为“负胶沟槽”，其中， LED芯片的电极宽度由沟槽顶部开口决定。

由于电极遮光，因此在提升LED亮度的措施中一条很重要的方法就是发展细电极以提升负胶沟槽的分辨率，从前些年电极线宽4um、3um到现在开始要求2.5um、2.0um、1.5um，甚至更小。对于一定厚度的光刻胶，侧壁角变大和分辨率提升是一种同步关系，LED电极金属剥离工艺中，负胶沟槽顶部开口宽度限制了电极线宽，而沟槽侧壁角则决定金属剥离难度，因此在向细电极发展过程中怎样保持负胶沟槽顶部开口减小的同时侧壁角不增大是核心问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，以解决缩小沟槽开口宽度的同时沟槽侧壁角会增大使得金属剥离难度增加的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，所述方法包括：

对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面对所述光刻胶层进行烘烤。

可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，通过一上热板对所述光刻胶层进行烘烤，烘烤时，所述上热板位于所述光刻胶层的顶面的上方且与所述光刻胶层的顶面保持设定距离。

可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述上热板和所述光刻胶层的顶面之间的距离为0.08mm～0.2mm。

可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，对所述光刻胶层进行烘烤时，所述衬底通过升降柱放置在一具有吸附槽的载盘上，并通过所述吸附槽固定在所述载盘上。

可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱连接于所述载盘上呈等边三角形分布。

可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述吸附槽为环形吸附槽，所述环形吸附槽的数量为多个，多个所述环形吸附槽在所述载盘上呈同心状排布。

可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述载盘还具有多个吸附孔，相同数量的所述吸附孔分别沿着各所述环形吸附槽均匀分布。

本发明还提供一种烘烤装置，用于光刻胶层的曝光后烘烤中，包括具有吸附槽的载盘、升降柱和上热板，

所述升降柱连接于所述载盘上并用于承载一衬底，所述升降柱能够相对于所述载盘升降，以带动所述衬底靠近或远离所述载盘并与所述吸附槽接触或分离；

所述吸附槽用于吸附所述衬底以使所述衬底与所述载盘固定连接；

所述上热板用于对所述衬底上的光刻胶层的远离所述衬底的顶面进行曝光后烘烤。

可选地，在所述的烘烤装置中，所述上热板能够相对于所述载盘上下移动，以使所述上热板靠近或远离所述光刻胶层的顶面。