[发明专利]高温陶瓷复合材料的预处理在审
| 申请号： | 201811424363.2 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109851397A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | K.L.卢思拉 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初明明;林毅斌 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理层 预处理 陶瓷核心 陶瓷基质 涂层部件 环境屏障涂层 表面性质 高温陶瓷 碳氧化物 复合材料 碳化硅 延缓 暴露 申请 | ||
【权利要求书】：
1. 一种涂层部件，其包含：
具有围绕陶瓷核心的Si-处理层的陶瓷基质，其中陶瓷核心包含碳化硅，其中Si-处理层经预处理以使其表面性质适合于在Si-处理层暴露于氧时，抑制或延缓碳氧化物的形成；和
在陶瓷基质的Si-处理层上的环境屏障涂层。
2.权利要求1的涂层部件，其中Si-处理层经预处理以使环境屏障涂层直接涂布于其上，而在这两者之间没有硅粘结涂层。
3.权利要求1的涂层部件，其中环境屏障涂层直接在陶瓷基质的Si-处理层上。
4.权利要求1的涂层部件，其中陶瓷核心包含具有第一比例的硅与碳的碳化硅，和其中Si-处理层包含具有第二比例的硅与碳的碳化硅，其中相对于第一比例，第二比例具有更大量的硅。
5. 权利要求1的涂层部件，其中Si-处理层是陶瓷核心构成整体所需要的，并具有从Si-处理层的外表面向陶瓷核心延伸至陶瓷基质约750 µm或更少的深度。
6. 权利要求5的涂层部件，其中Si-处理层的深度为25 µm-约260 µm。
7.权利要求1的涂层部件，其中Si-处理层是陶瓷核心上的施加层。
8. 权利要求7的涂层部件，其中Si-处理层的厚度为约1 µm-约250 µm。
9.权利要求7的涂层部件，其还包含：
在陶瓷核心和Si-处理层之间的屏障层。
10.权利要求9的涂层部件，其中所述屏障层包含稀土二硅酸盐。
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