[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，所述阵列基板方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、源极/漏极金属层和保护层；

涂布像素电极的光阻，通过图案化方式形成像素电极，所述像素电极不形成于保护层上，且所述像素电极直接与所述漏极金属层连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法，还包括：

在所述基板上沉积一第一金属层；

进行第一光罩曝光和腐蚀制造工艺来限定所述第一金属层的图案，以在第一金属层中形成一栅极；

在所述基板上沉积一绝缘层，使其覆盖所述第一金属层表面；

依序沉积一半导体层、一掺杂硅层以及一第二金属层，进行第二光罩和腐蚀工艺来限定所述半导体层、所述掺杂硅层以及所述第二金属层的图案，用以形成一薄膜晶体管岛状结构；

进行一第三光罩和腐蚀制造工艺以在所述第二金属层以及所述掺杂硅层中形成一源极/漏极金属层，并完成所述薄膜晶体管的制作；

在所述基板上形成一保护层，且覆盖薄膜晶体管的表面。

3.如权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述涂布像素电极的光阻，通过曝光、显影的方式形成像素电极的步骤包括：

进行一第四光照和腐蚀制造工艺，限定所述像素电极的图案，使得所述像素电极形成于栅绝缘层上，而不形成于保护层之上。

4.如权利要求1至3任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述像素电极为氧化铟锡构成。

5.如权利要求1至3任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法，还包括：

通过曝光工艺在所述基板上形成公共线；以及

通过曝光工艺形成连接至所述公共线的公共电极，所述公共电极在所述像素区域中与所述像素电极交替。

6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板，

薄膜晶体管，形成于所述基板上，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极/漏极金属层和保护层；

像素电极，形成于所述栅极绝缘层上，不形成于所述保护层上，直接与所述漏极金属层连接。

7.如权利要求8所述的阵列基板，奇特征在于，所述阵列基板包括多条扫描线以及与所述扫描线垂直的数据线位于所述基板上，以界定出多个阵列式像素区域。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的方法的步骤。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：

如权利要求6所述的阵列基板；

对向基板，与所述阵列基板对向设置；

液晶层，填充于所述对向基板和所述阵列基板之间。