[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例通过刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；并在所述第二凹槽底部形成与第一源区和第二源区的掺杂类型相反的拾取区；在第二凹槽的侧壁和底面形成金属硅化物，以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。由此可以提高半导体器件的体区的拾取能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。现有常用的半导体器件包括：场效应晶体管、双极型晶体管以及晶体二级管等。其中，特别是横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS)，由于其更容易与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductors，CMOS)的逻辑工艺兼容而被广泛应的用于功率集成电路中。然而，现有的半导体器件的体区的拾取能力有待提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的拾取能力。

根据本发明实施例的一个方面，提供一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区，位于所述体区两侧的第一漂移区和第二漂移区，位于所述体区上的栅极结构层以及覆盖所述栅极结构层的阻挡层，其中，所述第一漂移区中形成有第一漏区，所述第二漂移区中形成有第二漏区；

刻蚀预定区域的所述阻挡层和所述栅极结构层形成露出所述体区的第一凹槽和由所述第一凹槽分隔的第一栅极结构和第二栅极结构；

对所述第一凹槽中露出的所述体区进行离子注入，在所述体区中形成掺杂区，所述掺杂区具有第一掺杂类型；

刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；

对所述第二凹槽底部进行离子注入，在所述第二凹槽底部形成具有第二掺杂类型的拾取区；

图案化所述阻挡层；

通过自对准工艺形成金属硅化物，所述金属硅化物至少覆盖在第二凹槽的侧壁和底面以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。

进一步地，所述图案化所述阻挡层包括：刻蚀第一栅极结构和第二栅极结构上方的阻挡层，以形成多个露出第一栅极结构的孔以及多个露出第二栅极结构的孔；

通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述孔的底部。

进一步地，所述图案化所述阻挡层还包括：刻蚀所述第一漏区和所述第二漏区上方的阻挡层，以露出所述第一漏区和所述第二漏区；

通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述第一漏区、所述第二漏区。

进一步地，所述方法还包括：

在所述阻挡层上形成浮栅。

进一步地，所述方法还包括：

在形成浮栅的同时形成分别连接所述第一漏区、所述第二漏区、所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述拾取区的接触孔；

在所述接触孔上方形成互连结构，以使得第一漏区和第二漏区形成电连接。

进一步地，所述方法还包括：在形成所述第二凹槽前，形成覆盖所述第一栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第一侧墙，以及覆盖所述第二栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第二侧墙。