[发明专利]晶圆清洗方法及半导体器件制作方法

权利要求书

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆上形成有待去除的光刻掩蔽层；

在一清洗槽中，利用酸洗混合溶液对所述晶圆表面进行第一清洗，以去除所述光刻掩蔽层，采用所述酸洗混合溶液对所述晶圆进行第一清洗的步骤包括：

第一阶段，使得向所述晶圆表面喷淋的所述酸洗混合溶液的温度从100℃逐渐升温到120℃；

第二阶段，使得向所述晶圆表面喷淋的所述酸洗混合溶液的温度持续维持在120℃；以及，

第三阶段，使得向所述晶圆表面喷淋的所述酸洗混合溶液的温度从120℃逐渐降低至100℃；在所述清洗槽中，利用漂洗混合溶液对所述晶圆表面进行第二清洗，以清除所述第一清洗后的残余物，采用所述漂洗混合溶液对所述晶圆进行第二清洗的步骤包括：

第一阶段，使得向所述晶圆表面喷淋的所述漂洗混合溶液的温度维持在90℃；

第二阶段，使得向所述晶圆表面喷淋的所述漂洗混合溶液的温度从90℃逐渐降低至70℃；

所述第一清洗和第二清洗之间具有换液冲洗的过程，所述换液冲洗的时间小于所述第一清洗的时间及所述第二清洗的时间，且所述第一清洗的时间与所述第二清洗的时间不同，所述换液冲洗的温度介于酸洗混合溶液和后续的漂洗混合溶液的温度之间，用于保持晶圆表面的温度。

2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述酸洗混合溶液的温度为100℃～120℃，所述第一清洗的时间为3至5分钟。

3.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述漂洗混合溶液的温度为70℃～90℃，所述第二清洗的时间为3至5分钟。

4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述换液冲洗的时间为2至3分钟。

5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述光刻掩蔽层包括抗反射层。

6.如权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述光刻掩蔽层包括光刻胶层。

7.如权利要求5或6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述抗反射层中的硅含量为40％以上。

8.如权利要求5或6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述光刻掩蔽层还包括形成于所述晶圆的表面和所述抗反射层之间的旋涂碳层。

9.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述喷淋的清洗过程中，保持旋转所述晶圆。

10.如权利要求1-6中任一项所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述酸洗混合溶液包括硫酸与双氧水混合溶液，所述漂洗混合溶液包括氨水、双氧水和水混合溶液。

11.如权利要求10所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述硫酸与双氧水混合溶液中，硫酸和双氧水的体积比为20:1至40:1。

12.如权利要求10所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述氨水、双氧水和水混合溶液中，氨水、双氧水和水的体积比为1:8:60至1:4:20。

13.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括权利要求1-12中任一项所述的晶圆清洗方法。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述光刻掩蔽层用于所述半导体器件的制作方法中的硬掩膜层刻蚀、离子注入、栅极刻蚀、接触孔刻蚀或金属互连层的制作。