[发明专利]用于电磁结构表征的装置在审
| 申请号: | 201811413404.8 | 申请日: | 2018-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN109833042A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
| 发明(设计)人: | 安东尼·凯斯拉斯;阿克塞尔·纳克尔特斯 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号: | A61B5/053 | 分类号: | A61B5/053;A61B5/05;A61B5/103;A61B5/107;A61B5/11;A61B5/0205 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电场 控制器 磁场 电磁发射器 电磁接收器 电磁结构 通信接口 输出端 配置 信号使电磁 发射器 磁场计算 第二位置 第一位置 发送信号 阻抗 | ||
1.一种用于电磁结构表征的装置,其特征在于,包括:
控制器,所述控制器具有电磁发射器输出端和通信接口;
其中所述控制器被配置成通过所述电磁发射器输出端发送信号,所述信号使电磁发射器生成第一电场(E1)和第一磁场(H1);
其中所述控制器被配置成通过所述通信接口接收由电磁接收器接收的第二电场(E2)和第二磁场(H2);
其中所述第一电场(E1)和所述第一磁场(H1)对应于所述电磁发射器何时位于接近结构的第一位置,并且所述第二电场(E2)和所述第二磁场(H2)对应于所述电磁接收器何时位于接近所述结构的第二位置;并且
其中所述控制器被配置成基于与所述结构交互的所述电场和所述磁场计算阻抗。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述阻抗基于接近所述结构的所述第一位置与所述第二位置之间的距离。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述控制器将所述场配置成具有引起所述结构的外表面上方的表面波的频率。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述阻抗随时间的变化基于所述发射器与所述接收器之间的所述距离的变化的;并且
其中所述发射器与所述接收器之间的所述距离的所述变化被解释为所述生物结构的姿势的变化。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述装置进一步包括用户界面;
其中所述控制器被配置成基于所述阻抗操控所述用户界面。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述结构是生物结构;
其中所述阻抗随时间的变化基于所述生物结构内物质的变化;并且
其中所述结构内所述物质的所述变化基于所述生物结构内器官或组织的健康状况的变化。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述通信链路包含并且通过所述电磁发射器或所述电磁接收器传递表示所述场的信号。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述电磁发射器或所述电磁接收器包含天线,所述天线电容式地而非电流地耦合到所述结构。
9.一种用于电磁结构表征的装置,其特征在于:
控制器,所述控制器具有电磁接收器输入端和通信接口;
其中所述控制器被配置成通过所述通信接口接收由电磁发射器生成的第一电场(E1)和第一磁场(H1);
其中所述控制器被配置成从所述电磁接收器输入端接收由电磁接收器接收的第二电场(E2)和第二磁场(H2);
其中所述第一电场(E1)和所述第一磁场(H1)对应于所述电磁发射器何时位于接近结构的第一位置,并且所述第二电场(E2)和所述第二磁场(H2)对应于所述电磁接收器何时位于接近所述结构的第二位置;并且
其中所述控制器被配置成基于与所述结构交互的所述电场和所述磁场计算阻抗。
10.一种用于结构表征的电磁装置,其特征在于:
电磁发射器,所述电磁发射器被配置成生成第一电场(E1)和第一磁场(H1);
通信接口,所述通信接口被配置成从电磁接收器接收第二电场(E2)和第二磁场(H2);
控制器,所述控制器耦合到所述发射器和所述通信接口;
其中所述第一电场(E1)和所述第一磁场(H1)对应于所述电磁发射器何时位于接近结构的第一位置,并且所述第二电场(E2)和所述第二磁场(H2)对应于所述电磁接收器何时位于接近所述结构的第二位置;并且
其中所述控制器被配置成基于与所述结构交互的所述电场和所述磁场计算阻抗。
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