[发明专利]一种低毒性反溶剂制备Br基钙钛矿薄膜的方法及其应用在审
| 申请号： | 201811410408.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109686841A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 徐凌波;崔灿;车思远 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 312399 浙江省绍兴市上虞区曹*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反溶剂 钙钛矿薄膜 低毒性 薄膜 材料内部缺陷 制备钙钛矿 发光效率 乙酸乙酯 发光层 钙钛矿 滴加 多晶 基钙 旋涂 钛矿 制备 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种低毒性反溶剂制备Br基钙钛矿薄膜的方法，其特征在于：该方法为：在钙钛矿前驱体溶液旋涂过程中滴加反溶剂乙酸乙酯，加热退火后得到钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿或为MAPbBr3或CsPbBr3。
3.权利要求1所述方法制备得到的Br基钙钛矿薄膜在钙钛矿LED中的应用。
4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿LED的结构包括：透明导电衬底、空穴传输层、权利要求1所述方法制备得到的钙钛矿薄膜、电子传输层和金属电极。
5.根据权利要求3所述的应用，其特征在于:所述的透明导电衬底可以是FTO、ITO、AZO等透明导电玻璃。
6.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所述的空穴传输层可以是NiO、PEDOT:PSS、CBP、Spiro-oMeTAD等。
7.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所述的电子传输层可以是TPBi、BCP、ZnO、F8、TiO2等。
8.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所述的金属电极可以是金、银、铝、钙、镍、钛、钠等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司，未经浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811410408.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
