[发明专利]差分输入电路及放大电路、显示装置

权利要求书

1.一种差分输入电路，其特征在于，所述差分输入电路包括：

第一电源模块，用于在第一偏置信号的控制下输出第一信号、第二信号和第三信号，所述第三信号被传输至第一节点；

第二电源模块，和所述第一电源模块连接，接收所述第一信号，并输出第四信号和第五信号，所述第五信号被传输至第二节点；

第一分流模块，连接第四信号输出端、差分输入信号端和第一节点，用于在差分输入信号控制下将第四信号传输至第一节点；

第二分流模块，连接第二信号输出端、差分输入信号端和第二节点，用于在差分输入信号控制下将第二信号传输至第二节点；

第一输出模块，连接差分输入信号端、第一节点和第一输出端，用于在差分输入信号控制下输出输出信号；

第二输出模块，连接差分输入信号端，第二节点和第二输出端，用于在差分输入信号控制下输出输出信号。

2.如权利要求1所述的差分输入电路，其特征在于，所述第一电源模块包括：

第一晶体管，第一端连接第一电源端，控制端连接第一偏置信号端，第二端连接第二电源模块；

第二晶体管，第一端连接第一电源端，控制端连接第一偏置信号端，第二端连接第二分流模块；

第三晶体管，第一端连接第一电源端，控制端连接第一偏置信号端，第二端连接第一输出模块。

3.如权利要求2所述的差分输入电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的深宽比的比值为4:3:4。

4.如权利要求1所述的差分输入电路，其特征在于，所述第二电源模块包括：

第四晶体管，第一端和控制端连接第一信号输出端，第二端连接第二电源端；

第五晶体管，第一端连接第一分流模块，控制端连接第一信号端，第二端连接第二电源端；

第六晶体管，第一端连接第二输出模块，控制端连接第一信号端，第二端连接第二电源端。

5.如权利要求4所述的差分输入电路，其特征在于，所述第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管的深宽比的比值为4:3:4。

6.如权利要求1所述的差分输入电路，其特征在于，所述差分输入信号包括第一子差分信号和第二子差分信号；

所述第一输出模块包括：

第一差分晶体管对，包括：

第七晶体管，第一端连接于所述第一节点，控制端连接第一子差分信号，第二端连接第一差分输出端；

第八晶体管，第一端连接于所述第一节点，控制端连接第二子差分信号，第二端连接第二差分输出端；

所述第二输出模块包括：

第二差分晶体管对，包括：

第九晶体管，第一端连接于所述第二节点，控制端连接第一子差分信号，第二端连接第三差分输出端；

第十晶体管，第一端连接于所述第二节点，控制端连接第二子差分信号，第二端连接第四差分输出端。

7.如权利要求6所述的差分输入电路，其特征在于，所述第一分流模块，包括

第三差分晶体管对，包括：

第十一晶体管，第一端连接第四信号输出端，控制端连接第一子差分信号，第二端连接第一节点；

第十二晶体管，第一端连接第四信号输出端，控制端连接第二子差分信号，第二端连接第一节点；

所述第二分流模块，包括

第四差分晶体管对，包括：

第十三晶体管，第一端连接第二信号输出端，控制端连接第一子差分信号，第二端连接第二节点；

第十四晶体管，第一端连接第二信号输出端，控制端连接第二子差分信号，第二端连接第二节点。

8.如权利要求7所述的差分输入电路，其特征在于：

所述第七晶体管、第八晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管；

或者所述第七晶体管、第八晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。