[发明专利]半导体模块、其制造方法以及电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

基座板；

陶瓷基板，其设置于所述基座板之上；

下表面电极，其设置于所述陶瓷基板的下表面，与所述基座板接合；

上表面电极，其设置于所述陶瓷基板的上表面；

半导体芯片，其与所述上表面电极接合；

导电薄膜，其在所述陶瓷基板的下表面，与所述下表面电极相比设置于外侧，与所述下表面电极连接，比所述下表面电极薄，所述导电薄膜是与所述下表面电极独立地另行形成的；以及

绝缘树脂，其对所述陶瓷基板、所述下表面电极、所述上表面电极、所述半导体芯片以及所述导电薄膜进行封装，

从所述下表面电极的外周至所述陶瓷基板的外周为止的长度，与从所述上表面电极的外周至所述陶瓷基板的外周为止的长度相同，

所述导电薄膜的厚度小于或等于所述陶瓷基板的厚度的一半，

在所述陶瓷基板的上表面没有所述导电薄膜，

在所述下表面电极与所述基座板之间，在所述下表面电极也设置有所述导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

从所述下表面电极的外周至所述导电薄膜的外周为止的长度大于或等于从所述下表面电极的外周至所述陶瓷基板的外周为止的长度的1/3。

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。

4.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述导电薄膜是半导电膜。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述导电薄膜是掺杂了杂质的多晶硅膜。

7.一种半导体模块的制造方法，其是权利要求1至4中任一项所述的半导体模块的制造方法，

该半导体模块的制造方法的特征在于，

在所述陶瓷基板的下表面以及所述下表面电极的表面形成镀层，通过将所述镀层图案化，从而形成所述导电薄膜。

8.一种半导体模块的制造方法，其是权利要求1至4中任一项所述的半导体模块的制造方法，

该半导体模块的制造方法的特征在于，

使用电子束蒸镀或溅射装置而形成所述导电薄膜。

9.一种半导体模块的制造方法，其是权利要求1至4中任一项所述的半导体模块的制造方法，

该半导体模块的制造方法的特征在于，

通过对用于将所述下表面电极接合至所述陶瓷基板的下表面处的钎焊材料进行图案化，从而形成所述导电薄膜。

10.一种半导体模块的制造方法，其是权利要求1至4中任一项所述的半导体模块的制造方法，

该半导体模块的制造方法的特征在于，

使用冷喷涂形成所述导电薄膜。

11.一种电力变换装置，其特征在于，具备：

主变换电路，其具有权利要求1至6中任一项所述的半导体模块，该主变换电路对被输入的电力进行变换而输出；以及

控制电路，其将对所述主变换电路进行控制的控制信号向所述主变换电路输出。