[发明专利]碳化硅器件终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅器件终端结构，其特征在于，包括：

N+型SiC衬底；

第一电极层，形成于N+型SiC衬底第一侧面上；

第一N-型外延层，形成于N+型SiC衬底第二侧面上；所述第一侧面与所述第二侧面为相对侧面；

P型终端和第一P型主结，均形成于第一N-型外延层中，P型终端的下表面到第一N-型外延层的上表面的距离为0.8μm至1μm；对P型终端的离子注入能量为10KeV至600KeV，注入剂量范围为2×10¹²cm^-2至1×10¹³cm^-2；对第一P型主结的离子注入能量为10KeV至600KeV，注入剂量范围为2×10¹²cm^-2至5×10¹⁴cm^-2；

第二N-型外延层，形成于第一N-型外延层上；

第二P型主结，形成于第二N-型外延层中，且与第一P型主结共同构成终端结构的P型主结；对第二P型主结的离子注入能量为350KeV至600KeV，注入剂量大于1×10¹⁴cm^-2；

第二电极层，形成于第二P型主结上。

2.根据权利要求1所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述第二N-型外延层的层数为两层以上，P型终端形成于位于第一N-型外延层中。

3.根据权利要求1所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，还包括钝化介质层；

所述钝化介质层，形成于第二N-型外延层上除去第二电极层对应的区域上，或

所述钝化介质层，形成于第二电极层上除去需金属键合区域以外的芯片表面区域上。

4.根据权利要求3所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述钝化介质层为单层结构，包括氧化硅层、氮化硅层和聚酰亚胺层中的任一种。

5.根据权利要求3所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述钝化介质层为多层结构，包括氧化硅层、氮化硅层和聚酰亚胺层中的至少两种。

6.根据权利要求5所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述钝化介质层包括：

氧化硅层，形成于第二N-型外延层上除去第二电极层对应的区域上，或形成于第二电极层上除去需金属键合区域以外的芯片表面区域上；

氮化硅层，形成于氧化硅层上；

聚酰亚胺层，形成于氮化硅层上。

7.根据权利要求1所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述P型终端为一整体结构，或

包括多个相互间隔设置的子部分。

8.根据权利要求1所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，还包括：

N型SiC缓冲层，形成于N+型SiC衬底上，且位于N+型SiC衬底与第一N-型外延层之间。

9.根据权利要求1至8任一项所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述N+型SiC衬底为3C-SiC材质衬底，或为4H-SiC材质衬底，或为6H-SiC材质衬底。

10.根据权利要求1至8任一项所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述第一N-型外延层的掺杂浓度范围为1×10¹⁴cm^-3至5×10¹⁶cm^-3，所述第一N-型外延层的厚度为1μm至200μm。

11.根据权利要求1至8任一项所述的碳化硅器件终端结构，其特征在于，P型终端和第一P型主结通过注入的方式形成于第一N-型外延层中，注入深度为0.8μm至1μm。