[发明专利]一种硅基底长波通红外滤光片及其制备方法有效
申请号: | 201811405415.1 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN110146948B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 赵中亮 | 申请(专利权)人: | 上海欧菲尔光电技术有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200434 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基底 长波 通红 滤光 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅基底上的长波通红外滤光片,其结构为:在基底的正面沉积正面膜系(1),在基底的另一面沉积反面膜系(3),其特征在于:
所述的正面膜系(1)的膜系结构为:
基底/0.137H 0.284L 0.348H 0.495L 0.258H 0.564L 0.192H 0.547L 0.294H0.492L0.312H 0.463L 0.208H 0.606L 0.318H 0.494L 0.502H 0.614L 0.310H 0.771L0.464H0.488L 0.367H 0.980L 0.296H 0.440L 0.602H 1.254L/空气;
所述的反面膜系(3)的膜系结构为:
基底/0.122H 0.197L 0.145H 0.164L 0.135H 0.219L 0.116H 0.259L 0.122H0.250L0.123H 0.186L 0.128H 0.210L 0.140H 0.239L 0.199H 0.324L 0.133H 0.279L0.184H0.338L 0.140H 0.238L 0.225H 0.277L 0.158H 0.413L 0.156H 0.464L 0.125H0.520L0.292H 0.255L 0.243H 0.271L 0.274H 0.533L 0.102H 0.505L 0.268H 0.286L0.686H1.155L/空气;
其中,H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层,L表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层,λ0为中心波长,H与L前的数字为膜层的厚度比例系数。
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