[发明专利]一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管在审
申请号: | 201811404732.1 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN109378336A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 周雷;林毅;张群永;王延宗;马亚林 | 申请(专利权)人: | 淮阴工学院 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张华蒙 |
地址: | 223003 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色像素 传输层 像素子单元 线偏振 白光有机发光层 有机发光二极管 二维纳米结构 像素单元 背电极 基底 偏振 复合 白光OLED器件 光电显示器件 线偏振光源 技术路径 循环利用 颜色转换 依次设置 中心截面 彩色线 上表面 像素化 椭圆 波段 调控 | ||
1.一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:包括由上至下依次设置的基底(1)、第一传输层(2)、白光有机发光层(3)、第二传输层(4)和复合背电极(5),在所述的第一传输层(2)、白光有机发光层(3)、第二传输层(4)和复合背电极(5)上均设置二维纳米结构,所述的二维纳米结构中心截面为椭圆,周期为100~250nm,占空比为0.3~0.7,槽深为30~60nm;在所述的基底(1)的上表面设置像素单元(6),像素单元(6)包括第一像素子单元、第二像素子单元和第三像素子单元,所述的第一像素子单元、第二像素子单元和第三像素子单元分别实现蓝、绿、红三个波段彩色线偏振出光。
2.根据权利要求1所述的一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:所述第一传输层(2)是由一种或几种材料组成的叠层结构,所述材料选自PEDOT:PSS、NPB、TCTA、TmPyPB、三氧化钼、二氧化钛、氧化镍和氧化锌。
3.根据权利要求1所述的一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:所述的白光有机发光层(3)是两种掺杂组合而成,其一是选自mCP、CBP和BCP中的一种或两种的掺杂,其二是选自PO-01、Ir(ppy)3、Ir(MDQ)2(acac)、FIrpic和Ir(ppy)2(acac)中的一种或几种的掺杂。
4.根据权利要求1所述的一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:所述第二传输层(4)是由一种或几种材料组成的叠层结构,所述材料选自Alq3、NPB、TPD、Bphen、TPD、CuPc、TPBi和F4TCNQ中的一种或几种的组合。
5.根据权利要求1所述的一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:所述的第一像素子单元、第二像素子单元和第三像素子单元均分别通过一维周期性金属介质纳米光栅组成;所述的一维周期性金属介质纳米光栅中,金属为铝,介质为氧化锌或者三氧化钼。
6.根据权利要求5所述的一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:所述的第一像素子单元的一维周期性金属介质纳米光栅周期为0.22~0.26μm,介质高度为0.08~0.12μm,设置于介质上的金属高度为0.06~0.08μm,光栅占空比为0.6~0.7。
7.根据权利要求5所述的一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:所述的第二像素子单元的一维周期性金属介质纳米光栅周期为0.29~0.33μm,介质高度为0.08~0.12μm,设置于介质上的金属高度为0.06~0.08μm,光栅占空比为0.6~0.7。
8.根据权利要求5所述的一种彩色像素线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:所述的第三像素子单元的一维周期性金属介质纳米光栅周期为0.39~0.43μm,介质高度为0.08~0.12μm,设置于介质上的金属高度为0.06~0.08μm,光栅占空比为0.6~0.7。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的