[发明专利]用于处置NAND程序故障的内部拷贝

说明书

一种半导体封装设备的实施例可包括用于执行以下操作的技术：尝试将非易失性存储器的第一部分中的数据编程；确定尝试是否成功；以及如果确定尝试不成功，那么利用内部数据移动操作将数据恢复到非易失性存储器的第二部分。其它实施例被公开并且被要求保护。

技术领域

一般来说，实施例涉及存储器系统。更特定地，实施例涉及用于处置NAND程序故障的内部拷贝。

背景技术

多级非易失性存储器每个单元存储多于一个位。每个单元具有四（4）个可能的电压电平的多级NAND存储器可表示每个单元两（2）个数据位。每个单元具有八（8）个电压电平的NAND存储器可称为三级单元（TLC）存储器，并且可表示每个单元三（3）个数据位。每个单元具有十六（16）个电压电平的NAND存储器可称为四级单元（QLC）存储器，并且可表示每个单元四（4）个数据位。关于一些NAND闪速装置，对区块进行擦除可将所有位值设置成1。编程可以指将位从位值1变为位值0的过程。诸如纠错编码（ECC）和异或（XOR）奇偶校验的各种技术可用于校正各种存储器错误。

附图说明

通过阅读以下说明书和随附权利要求，并且通过参考以下附图，实施例的各种优点将对于本领域技术人员变得显而易见，图中：

图1是根据实施例的电子处理系统的示例的框图；

图2是根据实施例的半导体封装设备的示例的框图；

图3A至3C是根据实施例的恢复数据的方法的示例的流程图；

图4是根据实施例的存储器控制器的示例的框图；

图5是根据实施例的恢复数据的方法的另一个示例的流程图；

图6是根据实施例的各种命令队列的示例的说明性图；以及

图7是根据实施例的数据移动的示例的说明性图。

具体实施方式

本文中描述的各种实施例可包括存储器组件和/或到存储器组件的接口。此类存储器组件可包括易失性和/或非易失性存储器。非易失性存储器可以是不要求电力来维持由介质所存储的数据的状态的存储介质。在一个实施例中，存储器装置可包括区块可寻址存储器装置，诸如基于NAND或NOR技术的存储器装置。存储器装置还可包括未来一代非易失性装置，诸如三维交叉点存储器装置或其它字节可寻址位写入（write-in-place）非易失性存储器装置。在一个实施例中，存储器装置可以是或者可以包括：使用硫属化物玻璃的存储器装置，多阈值等级NAND闪速存储器，NOR闪速存储器，单级或多级相变存储器（PCM），电阻式存储器，纳米线存储器，铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM），反铁电存储器，并入忆阻器技术的磁阻式随机存取存储器（MRAM）存储器，包括金属氧化物基、氧空位基和导电桥式随机存取存储器（CB-RAM）的电阻式存储器，或自旋转移力矩（STT）-MRAM，基于自旋电子磁结存储器的装置，基于磁隧穿结（MTJ）的装置，基于DW（畴壁）和SOT（自旋轨道转移）的装置，基于晶闸管的存储器装置，或以上存储器中的任何存储器或其它存储器的组合。存储器装置可以指管芯本身和/或封装式存储器产品。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器组件可遵守由电子器件工程联合委员会（JEDEC）发布的一个或多个标准，诸如JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其它合适的标准（本文中引用的JEDEC标准可在jedec.org获得）。