[发明专利]一种超低温釉料的制备方法

说明书

本发明公开了一种超低温釉料的制备方法，通过该制备方法制得的超低温釉料能使烧结温度降低至1000℃，甚至在500‑700℃即可烧结，能够大大的降低能耗，降低釉制品的成本，且由于其烧结温度降低，使其用途更加广泛，可以弥补陶瓷制品的缺陷，降低陶瓷制品的次品，减少资源的浪费，符合社会发展的需要，可以广泛应用于日用瓷器、艺术陶瓷与工业陶瓷等。

技术领域

本发明涉及釉料制备及烧结工艺的技术领域，尤其涉及一种超低温釉料的制备方法。

背景技术

目前，釉料烧结温度往往高于1000℃，既耗能，又污染环境，不适合未来经济战略的发展，因此，从节能及国家的角度考虑，未来陶瓷釉的发展必然往着低温烧结发展，即向着节能环保的低温釉料发展。但是目前对于低温釉料的研究还是处于起步阶段，还没有出现成熟的低温釉料，有待改进。

发明内容

本发明的目的是为了克服上述现有技术的缺点，提供一种超低温釉料的制备方法，通过该制备方法制得的超低温釉料能使烧结温度降低至1000℃，甚至在500-700℃即可烧结，能够大大的降低能耗，降低釉制品的成本，且由于其烧结温度降低，使其用途更加广泛，可以弥补陶瓷制品的缺陷，降低陶瓷制品的次品，减少资源的浪费，符合社会发展的需要，可以广泛应用于日用瓷器、艺术陶瓷与工业陶瓷等。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种超低温釉料的制备方法，包括如下步骤：

(1)称取1.20Wt％氧化钠、0.20Wt％氧化镁、0.20Wt％氧化锂、0.30Wt％五氧化二钒、0.40Wt％碳酸锂、0.20Wt％氧化铝、0.10Wt％二氧化钛、8.27Wt％氧化硼、1.78-3.50Wt％碳酸钡、3.26Wt％药用滑石粉、68.86Wt％十水合四硼酸钠、10.40Wt％二氧化硅、14.23Wt％氧化锌的原料；

(2)按照原料：球磨球：水的质量比例1:1.5-2:1-1.2放入球磨罐中进行高速球磨得到粒度均匀的釉浆，得到低温釉料。

进一步的，步骤(2)中的釉浆由300目筛的过滤筛过滤后得到最终的低温釉料。

釉料中加入碱金属或者碱土金属氧化物，能够促使釉网络结构中硅氧键的断裂，同时，硼氧化物的玻璃结构可以看做由硼氧三角体连接而成的无序两维空间网络结构体，这可以改变釉的网络结构体，降低釉烧温度，也就是说，釉中硅氧四面体中的键能比较大，断裂比较难，从而导致釉料的熔融温度比较高，但氧化锌、碳酸钡、滑石粉等能够促进硅氧键的断裂，硼砂可以改变釉的部分或全部网络结构，因此，它们可以用来降低釉料的熔融温度。

氧化钠的Na⁺起到断网的作用，氧化锂和碳酸锂的Li⁺是起到积聚的作用及提高釉料的化学稳定性，Li⁺还具有加速熔融的性能。氧化铝的Al³⁺的配位状态有4或6，属于中间体氧化物，氧化铝能提高釉料的硬度、化学稳定性等。二氧化钛可以提供釉料的玻璃折射率、密度及其电阻率，且在一定的范围内，TiO₂可以明显的降低釉的膨胀系数，提高釉的耐酸性等。

综上所述，本发明通过该制备方法制得的超低温釉料能使烧结温度降低至1000℃，甚至在500-700℃即可烧结，能够大大的降低能耗，降低釉制品的成本，且由于其烧结温度降低，使其用途更加广泛，可以弥补陶瓷制品的缺陷，降低陶瓷制品的次品，减少资源的浪费，符合社会发展的需要，可以广泛应用于日用瓷器、艺术陶瓷与工业陶瓷等。

附图说明

图1是釉料中的ZnO含量为14.23Wt％时的DSC-TG曲线图；

图2是釉料中的ZnO含量为7.50Wt％时的DSC-TG曲线图；

图3是釉料中的ZnO含量为24.91Wt％时的DSC-TG曲线图；