[发明专利]剥离装置

说明书

提供剥离装置，其能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离。剥离装置包含：锭保持单元，其按照使相当于晶片的部分向下而使锭悬垂的状态对该锭进行保持；水槽，其贮存水；超声波单元，其浸渍于水槽内的水中；移动单元，其使锭保持单元在上下方向上移动并使该锭保持单元与超声波单元面对，并且该移动单元使相当于晶片的部分浸渍于水槽的水中；以及喷嘴，其朝向相当于晶片的部分喷射水而促进晶片的剥离。

技术领域

本发明涉及剥离装置，从形成有剥离层的锭剥离出晶片。

背景技术

IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al₂O₃(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话或个人计算机等电子设备。

供器件形成的晶片通常是利用划片锯将圆柱形状的锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，当利用划片锯将锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC锭，其硬度高，难以利用划片锯切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，在高效地生成晶片方面具有课题。

因此，本申请人提出了下述技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于单晶SiC锭的内部而对单晶SiC锭照射激光光线，在切断预定面形成剥离层，以剥离层为起点将晶片从单晶SiC锭剥离(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2000-94221号公报

专利文献2：日本特开2016-111143号公报

专利文献3：日本特开2011-060862号公报

但是，存在如下的问题：以剥离层为起点将晶片从锭剥离较困难，生产效率差。

另外，提出了下述技术：将对于Si(硅)具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离Si锭的端面相当于晶片的厚度的深度而对Si锭照射激光光线，在切断预定面形成改质层，以改质层为起点将晶片从Si锭剥离(例如，参照上述专利文献3)，但存在如下的问题：以改质层为起点将晶片从Si锭剥离较困难，生产效率差。

发明内容

鉴于上述事实而完成的本发明的课题在于提供剥离装置，其能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离。

为了解决上述课题，本发明所提供的是以下的剥离装置。即，一种剥离装置，其从将具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于相当于晶片的厚度的深度而照射激光光线从而形成有剥离层的锭将该晶片剥离，其中，该剥离装置包含：锭保持单元，其按照使相当于该晶片的部分向下而使锭悬垂的状态对该锭进行保持；水槽，其贮存水；超声波单元，其浸渍于该水槽内的水中；移动单元，其使该锭保持单元在上下方向上移动并使该锭保持单元与该超声波单元面对，并且该移动单元使相当于该晶片的部分浸渍于该水槽内的水中；以及喷嘴，其朝向相当于该晶片的部分喷射水而促进该晶片的剥离。